時間�2025/5/13 11:53:00
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PL60P06是一種N溝道增強型功率MOSFET，廣泛應用于開關電源、電機驅動和負載切換等領域。該器件采用TO-252封裝形式，具有低導通電阻和高效率的特點，能夠在高頻條件下保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)�
這款功率MOSFET主要通過其柵極電壓控制漏極和源極之間的電流流�。在合適的驅動條件下，它能夠實現(xiàn)高效的開關操�，并且具備較強的耐壓能力以適應多種應用場��
最大漏源電壓：60V
最大柵源電壓：±20V
持續(xù)漏極電流�6.8A
導通電阻：0.17Ω
功耗：49W
工作溫度范圍�-55� to +150�
PL60P06具有以下顯著特性：
1. 高雪崩能量能�，可有效應對電路中的瞬態(tài)電壓沖擊�
2. 極低的導通電阻Rds(on)，從而降低導通損耗并提升整體效率�
3. 快速開關速度，適合高頻應用環(huán)��
4. 緊湊的TO-252封裝設計，有助于節(jié)省PCB空間�
5. 符合RoHS標準，環(huán)保無鉛工藝制��
PL60P06適用于多種電子設備和系統(tǒng)中，包括但不限于�
1. 開關模式電源(SMPS)轉換��
2. 直流/直流(DC-DC)變換��
3. 各種電機驅動應用�
4. 電池保護電路�
5. 負載切換和固�(tài)繼電器等場合�
IRFZ44N
STP55NF06
FDP5500
