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PL50N06BGD5 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/29 22:01:48 查看 閱讀：6

PL50N06BGD5 是一款 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，適用于多種高效能開關(guān)應(yīng)用。該器件采用 TO-252 封裝形式，具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力的特性，適合用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載切換等場(chǎng)景。
　　這款 MOSFET 的設(shè)計(jì)使其能夠在高頻開關(guān)條件下保持較低的功耗，并且其封裝形式非常適合表面貼裝技術(shù)（SMT），便于自動(dòng)化生產(chǎn)和提高電路板空間利用率。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：50A
　　導(dǎo)通電阻：18mΩ
　　柵極電荷：37nC
　　總電容：490pF
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃

特性

PL50N06BGD5 具有以下主要特性：
　　1. 高電流處理能力：支持高達(dá) 50A 的連續(xù)漏極電流，確保在大功率應(yīng)用中穩(wěn)定運(yùn)行。
　　2. 低導(dǎo)通電阻：僅為 18mΩ，能夠有效降低導(dǎo)通損耗并提升整體效率。
　　3. 快速開關(guān)性能：較小的柵極電荷（37nC）使得該器件能夠在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
　　4. 耐熱增強(qiáng)封裝：TO-252 封裝提供良好的散熱性能，進(jìn)一步提高了器件的可靠性。
　　5. 寬工作溫度范圍：從 -55℃ 到 +150℃ 的操作范圍使其適應(yīng)各種惡劣環(huán)境條件。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)：環(huán)保材料選擇滿足國(guó)際法規(guī)要求。

應(yīng)用

PL50N06BGD5 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)模式電源（SMPS）：包括 AC/DC 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：如無刷直流電機(jī)（BLDC）、步進(jìn)電機(jī)和其他工業(yè)電機(jī)控制。
　　3. 負(fù)載切換：電池管理系統(tǒng)（BMS）、汽車電子中的負(fù)載切換。
　　4. 過流保護(hù)電路：用作電子保險(xiǎn)絲或限流元件。
　　5. 逆變器：光伏逆變器、UPS 系統(tǒng)中的關(guān)鍵功率開關(guān)組件。

替代型號(hào)

IRF540N
　　STP55NF06L
　　FDP5500
　　AO3400

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