PL30N10是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效開(kāi)�(guān)和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場(chǎng)�。這款器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力,從而提高了效率并降低了功��
PL30N10的主要特�(diǎn)包括其出色的熱性能、高擊穿電壓以及快速開(kāi)�(guān)特�。這些特點(diǎn)使得它在各種工業(yè)和消�(fèi)類電子應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
最大漏源電�(Vds)�100V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大漏極電�(Id)�30A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ (典型�,在Vgs=10V�(shí))
總功�(Ptot)�190W
�(jié)溫范�(Tj)�-55°C�+175°C
柵極電荷(Qg)�68nC (典型�)
輸入電容(Ciss)�1640pF (典型�)
反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�43ns (典型�)
PL30N10具有較低的導(dǎo)通電�,能夠有效減少傳�(dǎo)損�,提高整體系�(tǒng)效率。同�(shí),該器件具備快速開(kāi)�(guān)能力,有助于降低�(kāi)�(guān)損�。此�,它還擁有較高的電流密度和優(yōu)良的熱穩(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下可靠工作�
此器件采用TO-220封裝形式,便于散熱設(shè)�(jì),并且支持表面貼裝和通孔安裝方式,適�(yīng)不同的PCB布局需�。PL30N10的設(shè)�(jì)符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�
PL30N10適用于多種電力電子應(yīng)用領(lǐng)�,例如開(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的功率�(zhuǎn)換級(jí)、逆變�、電池充電器、LED�(qū)�(dòng)器以及電�(dòng)工具等設(shè)備的電機(jī)控制電路�
此外,它也可用于�(fù)載切�、續(xù)流二極管替代方案及各類工�(yè)自動(dòng)化系�(tǒng)的功率管理部�。憑借其�(yōu)異的電氣特性和�(jī)械可靠�,PL30N10成為眾多�(shè)�(jì)工程師的理想選擇�
IRFZ44N
STP30NF10
FDP30N10S