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PL10N03T6L 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/16 16:12:06 查看 閱讀:16

PL10N03T6L 是一款基于硅材料設(shè)計(jì)的 N 沒(méi)爾低電壓功率 MOSFET,具有極低的導(dǎo)通電阻和出色的開(kāi)關(guān)性能。該器件適用于需要高效能和高頻率切換的應(yīng)用場(chǎng)景,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及各種電源管理電路。
  其封裝形式為 LFPAK8,有助于散熱和減少寄生電感,從而提升整體系統(tǒng)效率。

參數(shù)

型號(hào):PL10N03T6L
  Vds(漏源擊穿電壓):30V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻,典型值):1.5mΩ
  Id(持續(xù)漏極電流):10A
  Vgs(th)(閾值電壓):1.5V
  Qg(總柵極電荷):14nC
  EAS(雪崩能量):270mJ
  fSW(最大開(kāi)關(guān)頻率):2MHz
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

PL10N03T6L 具有以下關(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在高電流應(yīng)用中可顯著降低功耗。
  2. 高效的開(kāi)關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景。
  3. 小型化封裝(LFPAK8),節(jié)省 PCB 空間并優(yōu)化熱性能。
  4. 支持高溫操作(最高可達(dá) 175℃),適用于嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用。
  5. 內(nèi)置反向二極管,簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全可靠。
  7. 提供優(yōu)異的 ESD 和雪崩保護(hù)能力,增強(qiáng)器件耐用性。

應(yīng)用

該器件廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
  2. 負(fù)載開(kāi)關(guān)和 OR-ing 應(yīng)用。
  3. 各類電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)電路。
  4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制。
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理模塊。
  6. 通信基礎(chǔ)設(shè)施中的高效功率轉(zhuǎn)換電路。
  7. 汽車電子系統(tǒng)中的功率分配與控制。
  8. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的充電解決方案。

替代型號(hào)

PL10N03T6L 的替代型號(hào)包括但不限于 IRF7846TRPBF、AO3400A、FDMC8625 和 BSC016N04LS G。

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