PJSD05MLFN2 是一款高性能、低功耗的 MOSFET 場效應晶體管,廣泛應用于電源管理、開關電路和信號調節(jié)等場景。該器件采用了先進的制造工�,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,能夠有效提升系�(tǒng)效率并減少能量損��
這款 MOSFET 通常用于消費電子、工�(yè)設備以及通信領域的各種應用中,其出色的電氣特性和可靠性使其成為設計工程師的理想選��
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�5.6A
導通電�(Rds(on))�4.5mΩ (典型�,在 Vgs=10V �)
柵極電荷(Qg)�11nC (典型�)
開關時間:開啟時� 8ns,關閉時� 12ns (典型�)
工作溫度范圍�-55� � +150�
PJSD05MLFN2 的主要特性包括:
1. 極低的導通電� Rds(on),有助于降低導通損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高速開關性能,適用于高頻應用場合�
3. 小型封裝設計(如 SOT-23 或更?。�?jié)� PCB 空間�
4. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在寬溫度范圍內可靠運行�
5. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)��
6. 良好的抗靜電能力(HBM > 2kV)�
7. 可靠性高,適合長時間連續(xù)工作的應用場��
PJSD05MLFN2 主要應用于以下領域:
1. 開關電源(Switching Power Supplies)中的同步整��
2. DC/DC 轉換器中的功率開��
3. 電池保護電路中的負載開關�
4. 消費類電子產(chǎn)品中的電機驅動控��
5. 工業(yè)設備中的信號調節(jié)和功率分��
6. 通信設備中的電源管理模塊�
7. 充電器和適配器中的過流保護及功率轉換�
IRF7409, AO3400A, SI2302DS