PJSD03LCTM是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,在低導(dǎo)通電阻和高效率方面表�(xiàn)出色,適用于需要高效能和小封裝尺寸的設(shè)�(jì)需��
這款功率MOSFET具有出色的熱性能和電氣特�,能夠支持高電流�(fù)�,并具備較低的開�(guān)損�。其小型化的封裝�(shè)�(jì)使其非常適合空間受限的應(yīng)用環(huán)境�
型號(hào):PJSD03LCTM
類型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源電壓)�30V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�1.5mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):80A
Qg(柵極電荷)�4nC
Eoss(輸出電容能量損耗)�7.6nJ
Pd(最大功耗)�120W
工作溫度范圍�-55� to +175�
封裝形式:TO-263
PJSD03LCTM的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可有效減少傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度,得益于其低柵極電荷(Qg�,從而降低了開關(guān)損��
3. 高額定電流能力,支持高達(dá)80A的連續(xù)漏極電流,滿足大功率�(yīng)用需求�
4. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB板空�,適合緊湊型�(shè)�(jì)�
5. 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條件下的運(yùn)行需求�
6. 具備良好的熱性能,有助于提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性�
7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
PJSD03LCTM廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源中的同步整流和功率級(jí)開關(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中作為高頻開�(guān)元件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)中的功率開關(guān)元件�
4. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率管理模��
5. 汽車電子中的�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
6. 通信�(shè)備中的電源管理單元�
7. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效能功率�(zhuǎn)換電��
IRF3710, FDP18N30C, AO3400