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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > PJQ4443P-AU_R2_000A1

PJQ4443P-AU_R2_000A1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 9:09:36 查看 閱讀�22

PJQ4443P-AU_R2_000A1是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、開(kāi)�(guān)電源和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,能夠提供高效率和低導(dǎo)通電阻的特�。其封裝形式為表面貼裝型,適合自�(dòng)化生�(chǎn)需求�
  該型�(hào)屬于增強(qiáng)型N溝道MOSFET系列,主要通過(guò)控制柵極電壓�(lái)�(shí)�(xiàn)�(duì)�(fù)載電流的�(kāi)�(guān)操作。得益于其優(yōu)秀的電氣性能和熱性能,它能夠在高頻開(kāi)�(guān)條件下保持穩(wěn)定的�(yùn)行狀�(tài)�

參數(shù)

最大漏源電壓:45V
  連續(xù)漏極電流�28A
  �(dǎo)通電阻:3.5mΩ
  柵極電荷�17nC
  �(kāi)�(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55℃至175�
  封裝類型:TO-263

特�

1. 極低的導(dǎo)通電�,有效降低功率損��
  2. 高耐壓能力,支持高�(dá)45V的工作電��
  3. 快速開(kāi)�(guān)特�,適用于高頻�(yīng)用場(chǎng)合�
  4. 出色的熱�(wěn)定�,確保在極端�(huán)境下的可靠性�
  5. 表面貼裝�(shè)�(jì),簡(jiǎn)化了PCB布局并提升了裝配效率�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�

�(yīng)�

PJQ4443P-AU_R2_000A1適用于多種電力電子設(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)的�(shè)�(jì)與優(yōu)��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的高效功率�(zhuǎn)��
  3. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和保�(hù)電路�
  6. 其他需要高性能功率�(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

PJQ4443P-AU, IRFZ44N, FDP5500

pjq4443p-au_r2_000a1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

pjq4443p-au_r2_000a1參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�1,007�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �7.71000剪切帶(CT�5,000 : �2.77216卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�40 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)8.8A(Ta��46A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)12 毫歐 @ 10A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)23 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)2767 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.1W(Ta��59.5W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�DFN3333-8
  • 封裝/外殼8-PowerVDFN