PJD50N10AL是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),屬于N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件主要�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)控制的場�。PJD50N10AL具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,使其在功率管理�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
這款器件采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì),能夠在高電流和高頻工作條件下提供穩(wěn)定的性能。此�,它具備良好的熱�(wěn)定性和耐受�,適合要求嚴(yán)苛的工作�(huán)��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�50A
�(dǎo)通電阻:2.8mΩ
柵極電荷�48nC
開關(guān)�(shí)間:ton=37ns, toff=16ns
功耗:19W
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
PJD50N10AL的主要特�(diǎn)包括低導(dǎo)通電�,這可以顯著降低傳�(dǎo)損耗,從而提高整體效��
其快速的開關(guān)速度有助于減少開�(guān)損�,并且允許更高的工作頻率�
同時(shí),該器件具有�(yōu)秀的熱性能,能夠有效散熱以確保長時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行�
�(nèi)置的雪崩保護(hù)功能增強(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒��
最�,其封裝形式緊湊,方便集成到各種電路�(shè)�(jì)��
PJD50N10AL廣泛�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)�,例如開�(guān)模式電源(SMPS)中的主開�(guān)�,用于提升電源轉(zhuǎn)換效�;在電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)用中作為功率�(jí)開關(guān)元件,用于精確控制電�(jī)速度和方向;以及在負(fù)載切換和保護(hù)電路中充�(dāng)高速開�(guān)�
此外,它也適用于逆變�、不間斷電源(UPS)系統(tǒng)、LED�(qū)�(dòng)器等需要高效功率處理的�(yīng)用場��
PJD50N10,
PJD50N10A,
FDP50N10,
IRF540N