PHD21N06LT 是一� N 灃道開關(guān) MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),由 ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)。該器件采用 TO-252 (DPAK) 封裝,適用于各種電源管理�(yīng)�,包� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)景�
其主要特�(diǎn)在于高效率的�(dǎo)通性能以及出色的開�(guān)特�,同�(shí)具備較低的導(dǎo)通電� Rds(on),從而減少了功率損耗并提升了整體系�(tǒng)效能�
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏電流:37A
柵極閾值電壓:2.1V
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):9mΩ
總功耗:24W
工作溫度范圍�-55� to +175�
封裝形式:TO-252 (DPAK)
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少�(dǎo)通損耗并提高效率�
2. 高雪崩能量能�,確保在異常條件下能夠可靠運(yùn)��
3. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)需��
4. 支持高頻開關(guān)操作,適�(yīng)快速開�(guān)�(yīng)��
5. 具備較高的漏源擊穿電�,增�(qiáng)了器件的魯棒��
6. 緊湊型表面貼裝封裝(TO-252/DPAK),便于 PCB �(shè)�(jì)與自�(dòng)化生�(chǎn)�
這些特性使� PHD21N06LT 成為眾多高效能功率轉(zhuǎn)換設(shè)�(jì)的理想選擇�
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整��
2. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)控制�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
4. LED �(qū)�(dòng)器及背光�(qū)�(dòng)�
5. 通信基礎(chǔ)�(shè)施中的電源管理模塊�
6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的適配器和充電器�(shè)�(jì)�
其卓越的電氣性能使其特別適合需要高效率、低熱損耗的�(chǎng)��
NTMFS4833N
IRLB8729PBF
FDP16N06L
AO3402A