時間�2025/4/3 11:17:45
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PESDMC2XD5VB是一款高性能的功率MOSFET芯片，專為需要高效率和低損耗的應用設計。該器件采用先進的半導體制造工藝，具有較低的導通電阻和�(yōu)化的開關性能，能夠有效降低能量損耗并提升系統(tǒng)效率。它廣泛適用于電源管理、電機驅�、工�(yè)控制等領��
型號：PESDMC2XD5VB
類型：N-Channel MOSFET
電壓等級�60V
連續(xù)漏極電流�134A
導通電阻（典型值）�1.7mΩ
柵極電荷�39nC
開關時間：t(on)=27ns, t(off)=15ns
結溫范圍�-55� to +175�
主要特點是其超低的導通電阻和快速的開關速度，這使其非常適合高頻應用環(huán)境。此�，該器件具備出色的熱�(wěn)定性和魯棒性，能夠在惡劣的工作條件下保持穩(wěn)定運��
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PESDMC2XD5VB憑借其高效的功率轉換能力和可靠性，成為眾多工程師在設計高效功率系統(tǒng)時的首選方案�
PESDMC2XD5TB, PESDMC2XD6VB
