PE12007-11NK0-1H 是一款由 Qorvo(原 Peregrine Semiconductor)生�(chǎn)的射頻開(kāi)�(guān)芯片,基� SOI(Silicon-on-Insulator)技�(shù)�(shè)�(jì)。它屬于 UltraCMOS 技�(shù)系列,適用于高頻通信�(yīng)用,如無(wú)�(xiàn)基礎(chǔ)�(shè)�、測(cè)試測(cè)量設(shè)備和射頻前端模塊�。該器件具有低插入損�、高隔離度和出色的線(xiàn)性度性能�
�(lèi)型:?jiǎn)蔚峨p� (SPDT) 射頻�(kāi)�(guān)
工作頻率范圍:DC � 12 GHz
插入損耗:0.4 dB(典型�,@ 6 GHz�
隔離度:35 dB(典型�,@ 6 GHz�
VSWR�1.2:1(典型值)
�(xiàn)性度(IP3):+62 dBm(典型值)
電源電壓�1.8 V � 2.85 V
靜態(tài)電流�10 μA(最大值)
封裝形式�16 引腳 LLP 封裝 (3 x 3 mm)
工作溫度范圍�-55°C � +125°C
PE12007-11NK0-1H 提供了卓越的射頻性能,覆蓋從直流� 12 GHz 的寬廣頻率范��
其采用先�(jìn)� UltraCMOS 工藝,確保了低插入損耗和高隔離度,同�(shí)具備�(yōu)異的�(xiàn)性度表現(xiàn),非常適合對(duì)�(dòng)�(tài)范圍要求較高的應(yīng)用�
該器件支� 1.8V � 2.85V 雙電源模�,能夠靈活適�(yīng)不同系統(tǒng)需�,并且在低功耗模式下表現(xiàn)出色�
此外,其小型� 3x3mm 封裝使其成為空間受限�(shè)�(jì)的理想選�,同�(shí)支持表面貼裝技�(shù) (SMT),便于大�(guī)模生�(chǎn)�
其耐熱性和寬溫范圍也使該芯片適用于苛刻�(huán)境下的高性能射頻系統(tǒng)�
PE12007-11NK0-1H 廣泛�(yīng)用于各種射頻通信�(lǐng)�,包括:
�(wú)�(xiàn)基礎(chǔ)�(shè)施中的信�(hào)切換與分�
蜂窩�(wǎng)�(luò)�(shè)備中的射頻鏈路管�
�(cè)試測(cè)�?jī)x器中的高頻信�(hào)路徑控制
航空航天和國(guó)防領(lǐng)域的射頻前端模塊
雷達(dá)系統(tǒng)中的多通道信號(hào)切換
工業(yè)、科�(xué)和醫(yī)� (ISM) �(lǐng)域的高頻通信�(shè)�
PE42007
PE42009
PE4210