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PE12007-11NK0-1H 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/23 4:27:28 查看 閱讀�20

PE12007-11NK0-1H 是一款由 Qorvo(原 Peregrine Semiconductor)生�(chǎn)的射頻開(kāi)�(guān)芯片,基� SOI(Silicon-on-Insulator)技�(shù)�(shè)�(jì)。它屬于 UltraCMOS 技�(shù)系列,適用于高頻通信�(yīng)用,如無(wú)�(xiàn)基礎(chǔ)�(shè)�、測(cè)試測(cè)量設(shè)備和射頻前端模塊�。該器件具有低插入損�、高隔離度和出色的線(xiàn)性度性能�

參數(shù)

�(lèi)型:?jiǎn)蔚峨p� (SPDT) 射頻�(kāi)�(guān)
  工作頻率范圍:DC � 12 GHz
  插入損耗:0.4 dB(典型�,@ 6 GHz�
  隔離度:35 dB(典型�,@ 6 GHz�
  VSWR�1.2:1(典型值)
  �(xiàn)性度(IP3):+62 dBm(典型值)
  電源電壓�1.8 V � 2.85 V
  靜態(tài)電流�10 μA(最大值)
  封裝形式�16 引腳 LLP 封裝 (3 x 3 mm)
  工作溫度范圍�-55°C � +125°C

特�

PE12007-11NK0-1H 提供了卓越的射頻性能,覆蓋從直流� 12 GHz 的寬廣頻率范��
  其采用先�(jìn)� UltraCMOS 工藝,確保了低插入損耗和高隔離度,同�(shí)具備�(yōu)異的�(xiàn)性度表現(xiàn),非常適合對(duì)�(dòng)�(tài)范圍要求較高的應(yīng)用�
  該器件支� 1.8V � 2.85V 雙電源模�,能夠靈活適�(yīng)不同系統(tǒng)需�,并且在低功耗模式下表現(xiàn)出色�
  此外,其小型� 3x3mm 封裝使其成為空間受限�(shè)�(jì)的理想選�,同�(shí)支持表面貼裝技�(shù) (SMT),便于大�(guī)模生�(chǎn)�
  其耐熱性和寬溫范圍也使該芯片適用于苛刻�(huán)境下的高性能射頻系統(tǒng)�

�(yīng)�

PE12007-11NK0-1H 廣泛�(yīng)用于各種射頻通信�(lǐng)�,包括:
  �(wú)�(xiàn)基礎(chǔ)�(shè)施中的信�(hào)切換與分�
  蜂窩�(wǎng)�(luò)�(shè)備中的射頻鏈路管�
  �(cè)試測(cè)�?jī)x器中的高頻信�(hào)路徑控制
  航空航天和國(guó)防領(lǐng)域的射頻前端模塊
  雷達(dá)系統(tǒng)中的多通道信號(hào)切換
  工業(yè)、科�(xué)和醫(yī)� (ISM) �(lǐng)域的高頻通信�(shè)�

替代型號(hào)

PE42007
  PE42009
  PE4210

pe12007-11nk0-1h推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)