時(shí)間：2025/5/28 20:36:40
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PDP50N20是一款N溝道功率場效應(yīng)晶體管（MOSFET），廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器以及其他需要高效開關(guān)和低導(dǎo)通損耗的場景。該器件采用TO-220封裝形式，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承受能力，能夠滿足多種工業(yè)和消費(fèi)類電子應(yīng)用的需求。
這款MOSFET在設(shè)計(jì)上注重效率與可靠性，其高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)使其成為許多大功率應(yīng)用的理想選擇。
最大漏源電壓：200V
最大漏極電流：50A
導(dǎo)通電阻：0.18Ω
柵極電荷：45nC
總功耗：125W
工作溫度范圍：-55℃ to +150℃
PDP50N20的主要特性包括：
1. 高擊穿電壓：能夠承受高達(dá)200V的漏源電壓，適合高壓環(huán)境下的應(yīng)用。
2. 低導(dǎo)通電阻：在額定條件下，導(dǎo)通電阻僅為0.18Ω，有助于減少導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。
3. 大電流能力：支持最高50A的漏極電流，適用于需要大電流處理的應(yīng)用場景。
4. 快速開關(guān)性能：由于柵極電荷較�。�45nC），該器件具備快速開關(guān)能力，可有效降低開關(guān)損耗。
5. 高可靠性：經(jīng)過嚴(yán)格測試，確保在惡劣環(huán)境下長期穩(wěn)定運(yùn)行。
6. 寬溫工作范圍：能夠在-55℃至+150℃的工作溫度范圍內(nèi)正常工作，適應(yīng)各種環(huán)境條件。
PDP50N20適用于以下應(yīng)用場景：
1. 開關(guān)電源（SMPS）：用于高效能量轉(zhuǎn)換和管理。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：為直流無刷電機(jī)或其他類型電機(jī)提供驅(qū)動(dòng)電流。
3. 逆變器：在太陽能逆變器和其他電力轉(zhuǎn)換設(shè)備中實(shí)現(xiàn)高效的直流到交流轉(zhuǎn)換。
4. 電池管理系統(tǒng)：用于保護(hù)電池組免受過流或短路的影響。
5. 工業(yè)控制：用于各類工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的開關(guān)和控制功能。
6. 汽車電子：用于汽車啟動(dòng)、照明以及各種車載電子設(shè)備的控制。
IRF540N
STP50NF20
BUZ11
