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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > PCS3P73Z21BWG-08-CR

PCS3P73Z21BWG-08-CR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 18:33:48 查看 閱讀�32

PCS3P73Z21BWG-08-CR 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制造。該芯片主要用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用中,能夠提供高效的功率�(zhuǎn)換和�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
  此型�(hào)具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),可顯著降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率�

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  封裝形式:WLCSP (晶圓�(jí)芯片尺寸封裝)
  最大漏源電�(Vdss)�73V
  最大柵極源極電�(Vgs):�20V
  最大漏極電�(Id)�21A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  總功�(Ptot)�2.5W
  工作溫度范圍(Top)�-55� � +175�
  柵極電荷(Qg)�30nC(典型值)
  反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�35ns(典型值)

特�

1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提升整體效率�
  2. 高開�(guān)速度�(shè)�(jì),支持高頻開�(guān)�(yīng)�,降低開�(guān)損��
  3. 小型化的WLCSP封裝,節(jié)省PCB空間,適合便攜式�(shè)備及緊湊型設(shè)�(jì)�
  4. 寬泛的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
  5. 具備較強(qiáng)的雪崩能力和抗靜電能�,提高系�(tǒng)的可靠性和耐用��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開關(guān)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率元��
  3. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率輸出�(jí)�
  4. 汽車電子中的�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  5. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率管理模塊�
  6. 快速充電器和其他消�(fèi)類電子產(chǎn)品的高效功率�(zhuǎn)換解決方��

替代型號(hào)

PCS3P73Z21BNG-08-CR
  IRF7739TRPBF
  AO6604
  FDP5500

pcs3p73z21bwg-08-cr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)