PAU1625BI-S1R1 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)的功� MOSFET,具體為 P 溝道增強� MOSFET。該器件適用于需要低導通電阻和高開關效率的場景。它采用� SO-8 封裝形式,具有出色的熱性能和電氣性能,適合在電源管理、負載開關以及電池供電設備等應用中使��
該器件的主要特點是其較低的導通電� (Rds(on)) 和較高的電流承載能力,這使得它能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:-30V
連續(xù)漏極電流�-6.9A
導通電阻(典型值)�70mΩ
柵極電荷�10nC
工作結溫范圍�-55� � +150�
封裝形式:SO-8
PAU1625BI-S1R1 的主要特性包括低導通電阻以減少傳導損�,提高整體效率;具備快速開關能�,支持高頻操作;內置反向二極管用� freewheeling 電流處理;良好的熱穩(wěn)定性和可靠性使其能夠在惡劣�(huán)境下工作;采用標� SO-8 封裝,便于設計和安裝�
此外,這款 MOSFET 在各種負載條件下表現(xiàn)出優(yōu)秀的性能,同時它的低電荷量確保了開關過程中的能量損失最小化,非常適合便攜式電子設備及汽車電子系�(tǒng)中的應用�
PAU1625BI-S1R1 廣泛應用� DC-DC 轉換�、負載開�、電機控制、電池保護電路等領域。它可以作為同步整流器的一部分來提升電源轉換效�,或者用作開關元件來控制不同負載的開啟與關閉�
在消費類電子�(chǎn)品中,比如智能手機和平板電腦的充電管理模塊里也可以看到它的身�。另�,在工業(yè)自動化領域,例如可編程邏輯控制器(PLC)或數(shù)�(jù)采集系統(tǒng)(DAS)中的信號調節(jié)部分也常會用到此� MOSFET�
PAU1625BIS1R1, DMG2306UX-13, FDMT8813Z