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P600K 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 16:39:12 查看 閱讀�29

P600K是一款高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率管理的�(chǎng)景。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,能夠顯著提升系�(tǒng)效率并減少熱量產(chǎn)生�
  該型�(hào)屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,通常用于電流控制和負(fù)載切�。由于其出色的電氣性能和可靠性,P600K成為許多工業(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)電子�(shè)備的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�45nC
  開關(guān)�(shí)間:ton=15ns, toff=18ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

P600K具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在高電流應(yīng)用中減少了功率損��
  2. 快速的開關(guān)速度降低了開�(guān)損�,適合高頻工作環(huán)��
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的耐用��
  4. �(yōu)化的熱性能�(shè)�(jì),可有效散發(fā)�(yùn)行過程中�(chǎn)生的熱量�
  5. 小型化封裝選�(xiàng),便于集成到緊湊型設(shè)�(jì)��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適用于國際市�(chǎng)的嚴(yán)格要��

�(yīng)�

P600K被廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元��
  2. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,例如無刷直流電�(jī)控制��
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器和降�/升壓電路�
  4. 智能家居�(shè)備中的負(fù)載切��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化系�(tǒng)的功率管理模��
  6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)和充放電控制電路�

替代型號(hào)

P600K-A, IRFZ44N, FDP55N06L

p600k推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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