P600K是一款高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率管理的�(chǎng)景。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,能夠顯著提升系�(tǒng)效率并減少熱量產(chǎn)生�
該型�(hào)屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,通常用于電流控制和負(fù)載切�。由于其出色的電氣性能和可靠性,P600K成為許多工業(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)電子�(shè)備的理想選擇�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�45nC
開關(guān)�(shí)間:ton=15ns, toff=18ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
P600K具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在高電流應(yīng)用中減少了功率損��
2. 快速的開關(guān)速度降低了開�(guān)損�,適合高頻工作環(huán)��
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的耐用��
4. �(yōu)化的熱性能�(shè)�(jì),可有效散發(fā)�(yùn)行過程中�(chǎn)生的熱量�
5. 小型化封裝選�(xiàng),便于集成到緊湊型設(shè)�(jì)��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適用于國際市�(chǎng)的嚴(yán)格要��
P600K被廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元��
2. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,例如無刷直流電�(jī)控制��
3. DC-DC�(zhuǎn)換器和降�/升壓電路�
4. 智能家居�(shè)備中的負(fù)載切��
5. 工業(yè)自動(dòng)化系�(tǒng)的功率管理模��
6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)和充放電控制電路�
P600K-A, IRFZ44N, FDP55N06L