OZ8138LN-C-0-TR 是一款由 ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)推出的高� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用 N 溝道技�(shù),適用于高效率開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)動等�(yīng)�。其封裝形式� TO-263-3,具有良好的散熱性能和可靠��
最大漏源電壓:800V
連續(xù)漏極電流�1.5A
柵極閾值電壓:4V
�(dǎo)通電阻:1.7Ω
功耗:3W
工作溫度范圍�-55� � +150�
OZ8138LN-C-0-TR 具有以下主要特性:
1. 高擊穿電�,適合高壓應(yīng)用環(huán)境�
2. 極低的輸入電容和輸出電容,可實現(xiàn)快速開�(guān)速度�
3. 小尺寸封�,便� PCB 布局�(shè)��
4. �(wěn)定的電氣性能,在極端溫度條件下表�(xiàn)�(yōu)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
6. �(nèi)置防靜電保護(hù)功能,提高了�(chǎn)品的耐用性�
該芯片廣泛應(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中作為主功率開關(guān)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)元件�
3. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率控制單��
4. 工業(yè)�(shè)備中的負(fù)載切換與保護(hù)�
5. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理模塊�
OZ8138LN-C-0-TR 的高壓和高效特性使其成為眾多高壓應(yīng)用場景的理想選擇�
FDP8870,
IRFR2907ZPBF,
FQA15N80C,
STP15NF08LT,
IXFH16N80T2