OSG60R074FSZF是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效率功率開關晶體管,專為高�、高功率密度應用而設計。該器件采用先進的封裝技�,能夠顯著降低寄生電感和熱阻,從而提高整體系�(tǒng)性能�
該芯片適合用于開關電�、DC-DC轉換�、逆變器等應用�,其高性能和高可靠性使其成為傳�(tǒng)硅基MOSFET的理想替代方��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�74A
導通電阻:7.4mΩ
柵極電荷�150nC
輸入電容�2200pF
工作結溫范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247-3L
OSG60R074FSZF具備出色的高頻性能,能夠在高頻開關條件下保持較低的開關損耗。其低導通電阻和低柵極電荷使得該器件在硬開關和軟開關拓撲中均表現(xiàn)出色�
此外,該芯片還具有優(yōu)異的熱性能,能夠有效降低散熱需求并提升系統(tǒng)的功率密�。同時,由于采用了GaN技�,其開關速度遠高于傳�(tǒng)的硅基MOSFET,有助于實現(xiàn)更緊湊的設計�
該器件內(nèi)置靜電保護功�,提高了其在實際應用中的抗干擾能�。同�,它還支持快速短路保�,進一步增強了�(chǎn)品的可靠��
OSG60R074FSZF廣泛應用于各種高功率密度場景,包括但不限于以下領域:
1. 服務器電源和電信電源
2. 太陽能逆變�
3. 電動汽車充電設備
4. 工業(yè)電機驅動
5. 高頻DC-DC轉換�
其高效能表現(xiàn)使其成為�(xiàn)代電力電子系�(tǒng)的核心組件之一�
OSG60R085FSZF
OSG60R070FSZF