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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > OSG55R190DF

OSG55R190DF 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 11:25:48 查看 閱讀�22

OSG55R190DF 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于高頻開�(guān)�(yīng)用和高效能電源轉(zhuǎn)換場景。該器件采用了先進的半導(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度以及出色的熱性能,能夠滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備對效率和可靠性的嚴格要求�
  該芯片通常被設(shè)計用� DC-DC �(zhuǎn)換器、開�(guān)電源(SMPS)、電機驅(qū)動以及其他需要高效功率管理的�(yīng)用中�

參數(shù)

型號:OSG55R190DF
  類型:N溝道增強型MOSFET
  最大漏源電壓(V_DS):55V
  最大柵源電壓(V_GS):±20V
  連續(xù)漏極電流(I_D):90A
  �(dǎo)通電阻(R_DS(on)):1.9mΩ(典型�,在 V_GS=10V 時)
  柵極電荷(Q_g):76nC
  反向恢復(fù)時間(t_rr):48ns
  工作�(jié)溫范圍(T_j):-55� � +175�

特�

OSG55R190DF 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� R_DS(on),確保了在大電流�(yīng)用中的高效能量傳�,并減少了功率損��
  2. 高速開�(guān)能力,適合高頻操作環(huán)�,可降低開關(guān)損��
  3. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下保持可靠的性能�
  4. �(yōu)化的柵極電荷�(shè)�,進一步提升了開關(guān)效率�
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
  6. 提供強大的浪涌電流處理能�,增強了器件的魯棒性和耐用��

�(yīng)�

OSG55R190DF 廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(lǐng)域,包括但不限于以下場景�
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�,如 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電動車輛(EV/HEV)的電機控制��
  3. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)�
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率模��
  5. 高效 LED �(qū)動器和負載切換電路�
  6. 各類消費電子�(chǎn)品中的快速充電適配器�

替代型號

OSG55R195DF
  IRFB4110
  STP90NF06L

osg55r190df推薦供應(yīng)� 更多>

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