O3853AQDCARQ1 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�,專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)計。該器件采用了先進的封裝技�(shù)以確保低寄生電感和卓越的熱性能。它廣泛適用于電源轉(zhuǎn)�、電機驅(qū)動和通信基礎(chǔ)�(shè)施等�(lǐng)域�
型號:O3853AQDCARQ1
類型:增強型氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET�
工作電壓�600V
�(dǎo)通電阻:70mΩ(典型值)
柵極電荷�24nC(最大值)
連續(xù)漏極電流�9A
封裝形式:QFN-8L
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
O3853AQDCARQ1 具備以下特點�
1. 高擊穿電壓和低導(dǎo)通電�,適合高功率密度的應(yīng)��
2. 極快的開�(guān)速度,能夠顯著降低開�(guān)損��
3. 出色的熱性能,有助于提高系統(tǒng)的整體效��
4. �(nèi)置保護功�,如過流保護和短路保護,增強了可靠��
5. 小巧的封裝尺寸減少了電路板空間占用,同時提高了布局靈活��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)��
這些特性使� O3853AQDCARQ1 成為高頻高效電源管理的理想選��
該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS),包括AC-DC適配器和充電��
2. 電機�(qū)動器中的逆變器模��
3. 無線充電系統(tǒng)中的功率傳輸部分�
4. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電源和電信�(shè)備電源�
5. 太陽能微逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(yīng)��
O3853AQDCARQ1 的高頻性能和高效率使其在這些�(lǐng)域中表現(xiàn)出色�
O3853BQDCARQ1
O3855AQDCARQ1
O3840AQDCARQ1