NXU8010N 是一款由 Nexperia 生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn),適用于各種高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。它通常用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景,以實(shí)現(xiàn)高效的功率控制。
這款 MOSFET 的封裝形式為 DFN1006-3(SOT1222),其緊湊的設(shè)計(jì)使得它非常適合于對(duì)空間要求嚴(yán)格的便攜式設(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中。
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流:2.5A
導(dǎo)通電阻:4.9mΩ
柵極電荷:3.5nC
開關(guān)時(shí)間:典型值 7ns(開啟)/ 5ns(關(guān)閉)
工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃
NXU8010N 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可減少傳導(dǎo)損耗并提高效率。
2. 小巧的封裝尺寸有助于節(jié)省 PCB 空間。
3. 快速開關(guān)能力使其適合高頻應(yīng)用。
4. 高雪崩能力和高可靠性,能夠在惡劣環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)計(jì)。
6. 支持大電流負(fù)載,滿足多種功率管理需求。
這些特性共同保證了 NXU8010N 在各類功率電子電路中的卓越表現(xiàn)。
NXU8010N 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 移動(dòng)設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)和電池保護(hù)。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流功能。
3. LED 驅(qū)動(dòng)和小型電機(jī)控制。
4. 電源管理系統(tǒng)中的開關(guān)元件。
5. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理模塊。
由于其優(yōu)異的性能和小體積設(shè)計(jì),NXU8010N 成為了許多工程師在設(shè)計(jì)高密度、高性能電路時(shí)的理想選擇。
BSS138, SI2302DS