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NVTJD4001NT1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/28 18:51:40 查看 閱讀�14

NVTJD4001NT1G 是一款由安森美(onsemi)推出的低功�、小封裝� N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管(MOSFET�。該器件采用�(yè)界標(biāo)�(zhǔn)的小� SOT23 封裝,適用于空間受限的設(shè)計場�。NVTJD4001NT1G 具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,能夠有效減少功率損耗并提升效率,非常適合用于電池供電設(shè)備及各類便攜式電子產(chǎn)品的電源管理電路��
  此外,由于其出色的電氣性能和可靠�,NVTJD4001NT1G 在消費類電子�(chǎn)�、通信�(shè)備以及工�(yè)控制等領(lǐng)域得到了廣泛�(yīng)��

參數(shù)

型號:NVTJD4001NT1G
  類型:N溝道增強型MOSFET
  封裝:SOT23
  Vds(漏源電壓)�30V
  Vgs(柵源電壓):�20V
  Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�1.5Ω(在 Vgs=4.5V 時)
  Id(連續(xù)漏極電流):290mA(在 25°C 時)
  Pd(總功耗)�360mW(在 25°C 時)
  f(工作頻率)�1MHz
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),在典型條件下僅� 1.5Ω,能夠顯著降低導(dǎo)通損耗�
  2. 高速開�(guān)能力,支持高�(dá) 1MHz 的工作頻率,滿足高頻�(yīng)用需��
  3. 小尺� SOT23 封裝�(shè)�,節(jié)� PCB 空間,適合緊湊型�(shè)��
  4. 寬泛的工作溫度范�,從 -55°C � +150°C,適�(yīng)多種�(huán)境條件下的穩(wěn)定運��
  5. �(nèi)部結(jié)�(gòu)�(yōu)�,提供優(yōu)異的熱特性和電氣�(wěn)定性�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于焊接與集��
  7. 良好的靜電防護能�,提高產(chǎn)品可靠��

�(yīng)�

NVTJD4001NT1G 廣泛�(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)操作的場�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 消費類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開�(guān)和保護電�,例如手機、平板電腦及筆記本電腦配��
  2. 電池管理系統(tǒng)(BMS�,用于電池充放電控制和過流保��
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器和線性穩(wěn)壓器的開�(guān)元件�
  4. 通信�(shè)備中的信號切換和隔離�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的小型電機驅(qū)動和繼電器替代方��
  6. 各種低功耗、高效率�(shè)計的電源模塊�
  7. 便攜式醫(yī)療設(shè)備中的電源管理部分�

替代型號

AO3401A
  FDS2517
  IRLML6401
  BSS138

nvtjd4001nt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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nvtjd4001nt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �2 � N 溝道(雙�
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C250mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.5 歐姆 @ 10mA�4V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 100µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs1.3nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds33pF @ 5V
  • 功率 - 最�272mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-88
  • 包裝帶卷 (TR)