NVTJD4001NT1G 是一款由安森美(onsemi)推出的低功�、小封裝� N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管(MOSFET�。該器件采用�(yè)界標(biāo)�(zhǔn)的小� SOT23 封裝,適用于空間受限的設(shè)計場�。NVTJD4001NT1G 具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,能夠有效減少功率損耗并提升效率,非常適合用于電池供電設(shè)備及各類便攜式電子產(chǎn)品的電源管理電路��
此外,由于其出色的電氣性能和可靠�,NVTJD4001NT1G 在消費類電子�(chǎn)�、通信�(shè)備以及工�(yè)控制等領(lǐng)域得到了廣泛�(yīng)��
型號:NVTJD4001NT1G
類型:N溝道增強型MOSFET
封裝:SOT23
Vds(漏源電壓)�30V
Vgs(柵源電壓):�20V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�1.5Ω(在 Vgs=4.5V 時)
Id(連續(xù)漏極電流):290mA(在 25°C 時)
Pd(總功耗)�360mW(在 25°C 時)
f(工作頻率)�1MHz
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),在典型條件下僅� 1.5Ω,能夠顯著降低導(dǎo)通損耗�
2. 高速開�(guān)能力,支持高�(dá) 1MHz 的工作頻率,滿足高頻�(yīng)用需��
3. 小尺� SOT23 封裝�(shè)�,節(jié)� PCB 空間,適合緊湊型�(shè)��
4. 寬泛的工作溫度范�,從 -55°C � +150°C,適�(yīng)多種�(huán)境條件下的穩(wěn)定運��
5. �(nèi)部結(jié)�(gòu)�(yōu)�,提供優(yōu)異的熱特性和電氣�(wěn)定性�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于焊接與集��
7. 良好的靜電防護能�,提高產(chǎn)品可靠��
NVTJD4001NT1G 廣泛�(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)操作的場�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 消費類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開�(guān)和保護電�,例如手機、平板電腦及筆記本電腦配��
2. 電池管理系統(tǒng)(BMS�,用于電池充放電控制和過流保��
3. DC-DC �(zhuǎn)換器和線性穩(wěn)壓器的開�(guān)元件�
4. 通信�(shè)備中的信號切換和隔離�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的小型電機驅(qū)動和繼電器替代方��
6. 各種低功耗、高效率�(shè)計的電源模塊�
7. 便攜式醫(yī)療設(shè)備中的電源管理部分�
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FDS2517
IRLML6401
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