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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NVTFS5124PLTWG

NVTFS5124PLTWG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 13:05:35 查看 閱讀�23

NVTFS5124PLTWG 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用了先�(jìn)� Trench 工藝制造,具備低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能等特性。它主要適用于需要高效能功率�(zhuǎn)換的�(chǎng)�,例如開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(yīng)�。其封裝形式� TO-263-3(DPAK�,能夠提供良好的散熱性能以支持高電流操作�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�27A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�2.9mΩ
  柵極電荷�42nC
  開關(guān)�(shí)間:ton=8ns, toff=28ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�

特�

NVTFS5124PLTWG 具有低導(dǎo)通電阻,這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
  采用 Trench 技�(shù)�(shè)�(jì),使得該 MOSFET 在高頻工作條件下表現(xiàn)出卓越的開關(guān)性能�
  具備較低的柵極電荷,從而減少了�(qū)�(dòng)損��
  其封裝形� TO-263-3 提供了高效的散熱路徑,使器件能夠在高電流�(yīng)用中保持�(wěn)定運(yùn)��
  額定電流高達(dá) 27A,并且能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)可靠地運(yùn)�,確保了在各種環(huán)境下的適�(yīng)��

�(yīng)�

該器件廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制及通信�(shè)備領(lǐng)域中的多種電路:
  開關(guān)模式電源(SMPS�
  降壓和升� DC-DC �(zhuǎn)換器
  電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  �(fù)載開�(guān)
  電池管理系統(tǒng)(BMS�
  電信和網(wǎng)�(luò)�(shè)備中的功率級(jí)解決方案

替代型號(hào)

NVTFS5124NL,
  NVD5124NL,
  FDP5124,
  IRF540N

nvtfs5124pltwg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

nvtfs5124pltwg參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �5.88000剪切帶(CT�5,000 : �2.12736卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�60 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)2.4A(Ta�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)260 毫歐 @ 3A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)6 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)250 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3W(Ta��18W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�8-WDFN�3.3x3.3�
  • 封裝/外殼8-PowerWDFN