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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NVTA7002NT1G

NVTA7002NT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 14:53:47 查看 閱讀�7

NVTA7002NT1G 是安森美(onsemi)推出的一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT)。這款器件具有高頻、高效和高功率密度的特點(diǎn),非常適合用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高頻工作的電力電子�(yīng)�。其封裝形式為PQFN5x6,有助于�(shí)�(xiàn)更緊湊的�(shè)�(jì)�
  由于采用了先�(jìn)的氮化鎵技�(shù),NVTA7002NT1G在性能上遠(yuǎn)超傳�(tǒng)的硅基MOSFET,在�(kāi)�(guān)速度、導(dǎo)通電阻以及效率方面都有顯著優(yōu)�(shì)�

參數(shù)

最大漏源電壓:200V
  連續(xù)漏極電流�4A
  柵極電荷�39nC
  輸入電容�1640pF
  �(dǎo)通電阻:120mΩ
  工作�(jié)溫范圍:-55� to 175�

特�

NVTA7002NT1G的核心特性包括:使用了增�(qiáng)型氮化鎵工藝制�,從而實(shí)�(xiàn)了低�(dǎo)通電阻和高速開(kāi)�(guān)性能。該器件具備快速開(kāi)�(guān)能力,可以有效降低開(kāi)�(guān)損耗,并提升系�(tǒng)整體效率。此�,它還具有較低的柵極電荷和輸出電�,�(jìn)一步優(yōu)化了�(dòng)�(tài)性能。另�,其�(jiān)固的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)保證了較高的可靠性和耐熱�,適合于工業(yè)�(jí)或汽車級(jí)的應(yīng)用場(chǎng)��
  這款芯片通過(guò)�(yōu)化寄生參�(shù),使得在高頻�(yùn)行條件下也能保持出色的電氣性能。同�(shí),PQFN5x6的小型封裝方式不僅節(jié)省了PCB空間,也�(jiǎn)化了散熱管理�

�(yīng)�

NVTA7002NT1G廣泛�(yīng)用于各種高效率電力轉(zhuǎn)換場(chǎng)合,如數(shù)�(jù)中心服務(wù)器電�、電�(dòng)汽車車載充電�、無(wú)線充電設(shè)�、太�(yáng)能逆變器等。在這些�(lǐng)域中,該芯片憑借其高頻特性和低功耗表�(xiàn),能夠幫助工程師�(shè)�(jì)出體積更�、重量更輕且效能更高的產(chǎn)��
  此外,它也非常適用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快充適配器市場(chǎng),因?yàn)檫@類產(chǎn)品對(duì)效率和尺寸要求較�,而NVTA7002NT1G正好滿足這些需��

替代型號(hào)

NTP8402PZ, NVTC4002N

nvta7002nt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

nvta7002nt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C154mA
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7 歐姆 @ 154mA�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.5V @ 100µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs-
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds20pF @ 5V
  • 功率 - 最�300mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-75,SOT-416
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-75
  • 包裝帶卷 (TR)