NVTA7002NT1G 是安森美(onsemi)推出的一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT)。這款器件具有高頻、高效和高功率密度的特點(diǎn),非常適合用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高頻工作的電力電子�(yīng)�。其封裝形式為PQFN5x6,有助于�(shí)�(xiàn)更緊湊的�(shè)�(jì)�
由于采用了先�(jìn)的氮化鎵技�(shù),NVTA7002NT1G在性能上遠(yuǎn)超傳�(tǒng)的硅基MOSFET,在�(kāi)�(guān)速度、導(dǎo)通電阻以及效率方面都有顯著優(yōu)�(shì)�
最大漏源電壓:200V
連續(xù)漏極電流�4A
柵極電荷�39nC
輸入電容�1640pF
�(dǎo)通電阻:120mΩ
工作�(jié)溫范圍:-55� to 175�
NVTA7002NT1G的核心特性包括:使用了增�(qiáng)型氮化鎵工藝制�,從而實(shí)�(xiàn)了低�(dǎo)通電阻和高速開(kāi)�(guān)性能。該器件具備快速開(kāi)�(guān)能力,可以有效降低開(kāi)�(guān)損耗,并提升系�(tǒng)整體效率。此�,它還具有較低的柵極電荷和輸出電�,�(jìn)一步優(yōu)化了�(dòng)�(tài)性能。另�,其�(jiān)固的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)保證了較高的可靠性和耐熱�,適合于工業(yè)�(jí)或汽車級(jí)的應(yīng)用場(chǎng)��
這款芯片通過(guò)�(yōu)化寄生參�(shù),使得在高頻�(yùn)行條件下也能保持出色的電氣性能。同�(shí),PQFN5x6的小型封裝方式不僅節(jié)省了PCB空間,也�(jiǎn)化了散熱管理�
NVTA7002NT1G廣泛�(yīng)用于各種高效率電力轉(zhuǎn)換場(chǎng)合,如數(shù)�(jù)中心服務(wù)器電�、電�(dòng)汽車車載充電�、無(wú)線充電設(shè)�、太�(yáng)能逆變器等。在這些�(lǐng)域中,該芯片憑借其高頻特性和低功耗表�(xiàn),能夠幫助工程師�(shè)�(jì)出體積更�、重量更輕且效能更高的產(chǎn)��
此外,它也非常適用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快充適配器市場(chǎng),因?yàn)檫@類產(chǎn)品對(duì)效率和尺寸要求較�,而NVTA7002NT1G正好滿足這些需��
NTP8402PZ, NVTC4002N