NVMFS6H818NWFT1G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),屬� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件適用于需要高效率和低導通電阻的應用場景,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開關、電機驅(qū)動以及電源管理電路等。其采用先進的制程工藝制�,能夠提供優(yōu)異的電氣性能和熱性能�
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大漏極電�(Id)�70A
導通電�(Rds(on))�1.4mΩ
柵極電荷(Qg)�58nC
開關速度:快�
封裝形式:TO-247
NVMFS6H818NWFT1G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高額定漏極電� Id,能夠支持大電流應用�
3. 快速開關速度,可有效降低開關損��
4. �(yōu)化的柵極電荷設計,簡化驅(qū)動電路設��
5. 良好的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下的可靠運��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全�
7. 采用堅固耐用� TO-247 封裝,具備出色的散熱性能�
這款 MOSFET 主要應用于以下領域:
1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電動工具、家用電器和工業(yè)設備中的電機�(qū)動�
3. 大功率負載開��
4. 新能源汽車和電動車的電池管理系統(tǒng) (BMS)�
5. 工業(yè)自動化控制設��
6. 高效電源模塊和逆變器設��
NVMFS6H818NWF, IRF260N, FDP5570N