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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NVMFS6H818NWFT1G

NVMFS6H818NWFT1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 14:21:52 查看 閱讀�21

NVMFS6H818NWFT1G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),屬� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件適用于需要高效率和低導通電阻的應用場景,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開關、電機驅(qū)動以及電源管理電路等。其采用先進的制程工藝制�,能夠提供優(yōu)異的電氣性能和熱性能�

參數(shù)

最大漏源電�(Vds)�30V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  最大漏極電�(Id)�70A
  導通電�(Rds(on))�1.4mΩ
  柵極電荷(Qg)�58nC
  開關速度:快�
  封裝形式:TO-247

特�

NVMFS6H818NWFT1G 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高額定漏極電� Id,能夠支持大電流應用�
  3. 快速開關速度,可有效降低開關損��
  4. �(yōu)化的柵極電荷設計,簡化驅(qū)動電路設��
  5. 良好的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下的可靠運��
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全�
  7. 采用堅固耐用� TO-247 封裝,具備出色的散熱性能�

應用

這款 MOSFET 主要應用于以下領域:
  1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電動工具、家用電器和工業(yè)設備中的電機�(qū)動�
  3. 大功率負載開��
  4. 新能源汽車和電動車的電池管理系統(tǒng) (BMS)�
  5. 工業(yè)自動化控制設��
  6. 高效電源模塊和逆變器設��

替代型號

NVMFS6H818NWF, IRF260N, FDP5570N

nvmfs6h818nwft1g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

nvmfs6h818nwft1g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格1 : �24.49000剪切帶(CT�1,500 : �12.95145卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�80 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)20A(Ta),123A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)3.7 毫歐 @ 20A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)4V @ 190μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)46 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)3100 pF @ 40 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.8W(Ta),136W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應商器件封�5-DFN�5x6)(8-SOFL�
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN�5 引線