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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NVMFS5C442NAFT1G

NVMFS5C442NAFT1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/16 11:57:01 查看 閱讀�18

NVMFS5C442NAFT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生�(chǎn)� N 沒爾溝道增強型功� MOSFET。該器件采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于各種高效能電源管理應(yīng)��
  該芯片主要應(yīng)用于需要高頻切換及低功耗的場景�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電機驅(qū)動以及電池供電設(shè)備等�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�2.6A
  �(dǎo)通電阻:9.5mΩ
  柵極電荷�8.7nC
  總電容:135pF
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

NVMFS5C442NAFT1G 的關(guān)鍵特性包括其極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 和優(yōu)秀的開�(guān)性能。它采用了先進的 Trench 技�(shù)以減少導(dǎo)通損�,并提高了整體效率�
  此外,該 MOSFET 還具備出色的熱穩(wěn)定性和耐雪崩能�,能夠承受一定的異常�(fù)載情��
  由于其緊湊的封裝�(shè)計(SOT-23 封裝�,使得該元件非常適合用于空間受限的應(yīng)用場合�

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛�(yīng)用于消費電子�(lǐng)�,如智能手機和平板電腦中的電源管理模��
  在工�(yè)控制方面,它可以作為開關(guān)元件用于電機�(qū)動和 LED �(qū)動電��
  同時,在汽車電子系統(tǒng)�,該器件也常被用作負(fù)載開�(guān)或保護電路的一部分�
  另外,對于便攜式�(shè)備而言,這款 MOSFET 的低功耗特點使其成為延長電池壽命的理想選擇�

替代型號

NVMFS5C443NAFT1G, NVMFS5C441NAFT1G

nvmfs5c442naft1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

nvmfs5c442naft1g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格1 : �14.87000剪切帶(CT�1,500 : �7.30453卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�40 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)29A(Ta),140A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)2.3 毫歐 @ 50A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)32 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)2100 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.7W(Ta),83W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�5-DFN�5x6)(8-SOFL�
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN�5 引線