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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NVMFS014P04M8LT1G

NVMFS014P04M8LT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 13:50:40 查看 閱讀�19

NVMFS014P04M8LT1G 是一款基� 3D NAND 技�(shù)的嵌入式多媒體存�(chǔ)卡(eMMC�,符� JEDEC �(biāo)�(zhǔn)�(guī)�。該型號(hào)主要�(yīng)用于需要大容量、低功耗和高可靠性的嵌入式系�(tǒng),例如消�(fèi)電子、工�(yè)控制�(shè)備以及汽車電子領(lǐng)��
  該芯片采用了先�(jìn)的制程工�,支� UHS-I 接口�(biāo)�(zhǔn),具備高速讀寫性能和良好的耐用�。此�,它還集成了控制器功�,簡(jiǎn)化了主處理器與閃存之間的�(shù)�(jù)管理流程�

參數(shù)

容量�128GB
  接口類型:UHS-I
  工作電壓�1.7V - 1.9V / 2.7V - 3.6V
  傳輸速度:最� 150MB/s
  擦寫壽命�3000 � (典型�)
  工作溫度范圍�-25°C � +85°C
  封裝形式:LGA 封裝
  引腳�(shù)量:63

特�

NVMFS014P04M8LT1G 的主要特性包括高效能的控制器�(shè)�(jì),支� ONFI(Open NAND Flash Interface)標(biāo)�(zhǔn)�(xié)�,確保數(shù)�(jù)傳輸效率;內(nèi)� ECC(Error Correction Code)引擎可自動(dòng)檢測(cè)并修�(fù)位錯(cuò)誤,從而提升數(shù)�(jù)可靠��
  同時(shí),該器件具有�(qiáng)大的電源管理功能,在待機(jī)模式下能夠顯著降低功�,非常適合電池供電的�(yīng)用場(chǎng)�。另�,其智能磨損均衡算法可以延長(zhǎng)閃存使用壽命,并提供端到端的�(shù)�(jù)保護(hù)�(jī)制,防止�(shù)�(jù)丟失或損��
  此外,該芯片兼容多種文件系統(tǒng)格式,如 FAT16、FAT32 � exFAT,便于不同平�(tái)間的�(shù)�(jù)交互�

�(yīng)�

這款 eMMC 芯片廣泛�(yīng)用于各類嵌入式系�(tǒng)�,包括但不限于智能手�(jī)、平板電�、物�(lián)�(wǎng)�(shè)備、監(jiān)�?cái)z像頭、車載信息娛樂系�(tǒng)及工控自�(dòng)化裝置等�
  在智能家居領(lǐng)域,它可以用�(lái)存儲(chǔ)固件程序和用戶配置文�;而在�(yī)療電子領(lǐng)�,則可用于保存患者的診斷記錄和治療方案�
  由于其較高的�(huán)境適�(yīng)能力,NVMFS014P04M8LT1G 也適用于極端條件下的戶外�(shè)備,比如�(wú)人機(jī)飛行控制器或者石油勘探儀器中的數(shù)�(jù)記錄模塊�

替代型號(hào)

NVMFS014P04M4LT1G
  NVMFS014P04M8GT1G
  NVMFS014P04M8RT1G

nvmfs014p04m8lt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

nvmfs014p04m8lt1g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �8.35000剪切帶(CT�1,500 : �3.80350卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�40 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)12.5A(Ta),52.1A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)13.8 毫歐 @ 15A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.4V @ 420μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)26.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)1734 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.6W(Ta),60W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�5-DFN�5x6)(8-SOFL�
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN�5 引線