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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NVMFD5C462NLT1G

NVMFD5C462NLT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 20:30:09 查看 閱讀�31

NVMFD5C462NLT1G 是一款由知名半導(dǎo)體廠商生�(chǎn)的非易失性存�(chǔ)器芯�,屬� NOR Flash 存儲(chǔ)器系�。該型號(hào)主要�(yīng)用于需要高可靠性和快速讀取速度的場(chǎng)�,如工業(yè)控制、汽車電子和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中。其采用先�(jìn)的制造工�,提供大容量的數(shù)�(jù)存儲(chǔ)和擦寫功�,同�(shí)具有低功耗和高穩(wěn)定性的特點(diǎn)�

參數(shù)

存儲(chǔ)容量�512Mb
  電壓范圍�1.7V-3.6V
  接口類型:SPI
  工作溫度�-40℃至+125�
  封裝形式:WSON16
  �(shù)�(jù)保留�(shí)間:20�
  擦寫次數(shù)�100,000�

特�

NVMFD5C462NLT1G 具有以下顯著特性:
  1. 高� SPI 接口支持高達(dá) 108MHz 的時(shí)鐘頻率,確保�(shù)�(jù)傳輸速率�
  2. 支持多種工作模式,包括標(biāo)�(zhǔn) SPI、雙 I/O 和四� SPI 模式,以適應(yīng)不同�(yīng)用場(chǎng)景的需��
  3. �(nèi)� ECC(錯(cuò)誤校正碼)引�,提高數(shù)�(jù)完整性和可靠��
  4. 具備扇區(qū)保護(hù)功能,防止未�(jīng)授權(quán)的寫入或擦除操作�
  5. 提供靈活的分區(qū)管理功能,方便用戶對(duì)存儲(chǔ)空間�(jìn)行高效利用�
  6. 超低待機(jī)功�,延長電池供電設(shè)備的使用壽命�

�(yīng)�

NVMFD5C462NLT1G 廣泛�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)域,主要包括�
  1. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的程序代碼和配置�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
  2. 汽車電子系統(tǒng),如儀表盤、信息娛樂系�(tǒng)� ADAS(高�(jí)駕駛輔助系統(tǒng)��
  3. 物聯(lián)�(wǎng)終端�(shè)備的�(shù)�(jù)記錄和固件升�(jí)�
  4. �(yī)療設(shè)備中�(guān)鍵數(shù)�(jù)的持久化保存�
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品,例如智能手表、智能家居控制器��
  其卓越的性能和穩(wěn)定性使其成為許多高要求�(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

NVMFD5C462NLH1G
  NVMFD5C462NLL1G

nvmfd5c462nlt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

nvmfd5c462nlt1g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �21.39000剪切帶(CT�1,500 : �10.49610卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 配置2 N-通道(雙�
  • FET 功能-
  • 漏源電壓(Vdss�40V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)18A(Ta��84A(Tc�
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)4.7 毫歐 @ 10A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.2V @ 40μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)11nC @ 4.5V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)1300pF @ 25V
  • 功率 - 最大�3W(Ta��50W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商器件封�8-DFN�5x6)雙�(biāo)記(SO8FL-雙通道�