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NVMD3P03R2G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/19 15:39:33 查看 閱讀：14

NVMD3P03R2G 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生產(chǎn)的 30V N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用先進(jìn)的工藝制造，具有低導(dǎo)通電阻、高效率和優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制以及通信設(shè)備等領(lǐng)域。
　　該芯片主要針對(duì)需要高效能和高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)，其封裝形式通常為 TO-252 (DPAK)，有助于散熱和簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　連續(xù)漏極電流：2.9A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：45mΩ
　　柵極電荷：10nC
　　開(kāi)關(guān)速度：快速
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 150℃
　　封裝類(lèi)型：TO-252 (DPAK)

特性

NVMD3P03R2G 的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），在 Vgs=10V 時(shí)僅為 45mΩ，從而降低了傳導(dǎo)損耗，提升了系統(tǒng)效率。
　　2. 快速的開(kāi)關(guān)性能，適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
　　3. 小巧的封裝尺寸，便于 PCB 布局并支持高密度設(shè)計(jì)。
　　4. 支持寬范圍的工作溫度，確保在極端條件下依然保持穩(wěn)定運(yùn)行。
　　5. 高可靠性設(shè)計(jì)，滿(mǎn)足多種嚴(yán)苛工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求。
　　6. 內(nèi)置保護(hù)功能，如過(guò)流保護(hù)及熱關(guān)斷機(jī)制，提高了整體系統(tǒng)的安全性。

應(yīng)用

NVMD3P03R2G 廣泛用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的同步整流或負(fù)載切換。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中作為主開(kāi)關(guān)元件。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的功率級(jí)控制。
　　4. 照明應(yīng)用中的 LED 驅(qū)動(dòng)控制。
　　5. 各類(lèi)電池管理系統(tǒng)中的充放電路徑管理。
　　6. 消費(fèi)電子產(chǎn)品中的負(fù)載開(kāi)關(guān)或保護(hù)電路。
　　7. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的繼電器替代方案。

替代型號(hào)

FDMQ8207
　　IRLZ44N
　　AO3400

nvmd3p03r2g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢(xún)價(jià)

nvmd3p03r2g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET 型2 個(gè) P 溝道（雙）
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.34A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C85 毫歐 @ 3.05A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2.5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds750pF @ 24V
  • 功率 - 最大730mW
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SOIC
  • 包裝帶卷 (TR)