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時(shí)間：2025/5/31 1:35:27
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NVGS3130NT1G是安森美（onsemi）推出的一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用TOLL封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)，非常適合用于服務(wù)器、電信整流器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源以及同步整流等應(yīng)用領(lǐng)域。
該器件的工作電壓范圍較寬，能夠承受高達(dá)60V的漏源極電壓，同時(shí)具備較低的導(dǎo)通電阻，有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
最大漏源電壓：60V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：313A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：0.45mΩ（典型值，在Vgs=10V時(shí)）
總柵極電荷：185nC
輸入電容：4740pF
功耗：280W
工作溫度范圍：-55℃至+175℃
NVGS3130NT1G采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，具備以下顯著特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻，能夠在高電流應(yīng)用中減少功率損耗。
2. 高效的熱性能設(shè)計(jì)，適合高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景。
3. 短路耐受能力較強(qiáng)，提升了系統(tǒng)的可靠性和安全性。
4. 小尺寸封裝，便于PCB布局和優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
6. 優(yōu)異的開關(guān)性能，可支持高頻開關(guān)應(yīng)用。
NVGS3130NT1G適用于多種工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域，具體包括：
1. 服務(wù)器和通信設(shè)備中的高效電源管理。
2. 數(shù)據(jù)中心使用的冗余電源模塊。
3. 高功率密度的DC-DC轉(zhuǎn)換器。
4. 開關(guān)模式電源（SMPS）設(shè)計(jì)。
5. 同步整流電路。
6. 電動(dòng)工具及電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。
7. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源解決方案。
NVDM3130T1G, IRFH7270TRPBF
