NVD5C478NLT4G 是一款由英飛凌(Infineon)推出的高效能 N 溝道功率 MOSFET,采用 SuperSO8 封裝。該器件適用于高效率、高密度的開關(guān)電源設(shè)計以及電機驅(qū)動等應(yīng)用領(lǐng)域。其先進的溝槽式技術(shù)確保了低導通電阻和出色的開關(guān)性能,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)整體效率。
這款 MOSFET 具備較低的柵極電荷和輸出電容特性,適合高頻操作,并且具備優(yōu)異的熱特性和電氣穩(wěn)定性。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:47A
導通電阻(典型值):4mΩ
柵極電荷(Qg):25nC
開關(guān)頻率:高達 1MHz
封裝類型:SuperSO8
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
NVD5C478NLT4G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),能夠在高負載條件下減少功耗。
2. 高效的開關(guān)性能得益于低柵極電荷和輸出電容。
3. 良好的熱穩(wěn)定性,使其在高溫環(huán)境下仍能保持高性能。
4. 支持高頻操作,滿足現(xiàn)代開關(guān)電源及逆變器的需求。
5. 緊湊的 SuperSO8 封裝節(jié)省了 PCB 空間,同時提供卓越的散熱能力。
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全可靠。
該器件廣泛應(yīng)用于以下場景:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)
2. 電機驅(qū)動與控制
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
4. 電動車充電裝置
5. LED 驅(qū)動器
6. 太陽能微型逆變器
7. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用
NVD5C478NL, IRF540N, FDP5800