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NVD5863NLT4G 發(fā)布時間 時間�2025/6/5 21:58:18 查看 閱讀�8

NVD5863NLT4G 是一款由知名廠商生產(chǎn)的高性能、低功耗的 DDR4 �(nèi)存顆粒芯�,廣泛應用于計算�、服務器以及嵌入式系�(tǒng)中。該芯片具有高帶寬和低延遲的特點,支持多種數(shù)�(jù)傳輸速率,滿足現(xiàn)代計算設備對�(nèi)存性能的需��
  DDR4 技術相比前� DDR3 提供了更高的頻率范圍和更低的工作電壓,從而實�(xiàn)更高效的能耗管理�

參數(shù)

類型:DRAM
  封裝形式:BGA
  容量�4Gb (512MBx8)
  工作電壓�1.2V
  �(shù)�(jù)速率�2133MT/s � 3200MT/s
  I/O 寬度:x8
  配置�512M x 8
  溫度范圍�-40°C � +125°C
  封裝尺寸�7.5mm x 11mm

特�

NVD5863NLT4G 芯片采用了先進的制程工藝,確保了其在高頻工作狀�(tài)下的�(wěn)定性和可靠�。它支持 ECC(糾錯碼)功�,能夠有效降低數(shù)�(jù)傳輸錯誤的概�,這對于關鍵任務應用尤為重要�
  此外,該芯片具備出色的熱管理能力,能夠在長時間運行下保持較低的工作溫�。同�,它的低功耗設計也使得其非常適合便攜式設備和對能效要求較高的場��
  另外,該芯片還支持突�(fā)長度� 8 � 16 的操作模�,進一步提升了�(shù)�(jù)讀寫效率,并且兼容多種主流控制器平��

應用

NVD5863NLT4G 主要應用于需要大容量、高速度�(nèi)存支持的場合,例如臺式電�、筆記本電腦、工作站、數(shù)�(jù)中心服務器以及網(wǎng)絡通信設備等�
  此外,由于其低功耗和高可靠性的特點,該芯片也被廣泛用于工業(yè)控制、醫(yī)療設備、汽車電子等領域中的嵌入式系�(tǒng)。這些領域通常對內(nèi)存的�(wěn)定性和耐久性有較高要求,� NVD5863NLT4G 恰好可以滿足這些需��

替代型號

NVD5863NLK4G
  NVD5863NLT8G
  IS42S32800F-1250KLL

nvd5863nlt4g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
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nvd5863nlt4g參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C14.9A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.1 毫歐 @ 41A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs36nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3850pF @ 25V
  • 功率 - 最�3.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應商設備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)