NV1808B103K102CEKN 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和高頻逆變器等電力電子�(shè)�。該器件采用了先�(jìn)的GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)結(jié)�(gòu),具有極低的�(dǎo)通電阻和快速的�(kāi)�(guān)速度,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和功率密度�
相比傳統(tǒng)的硅基MOSFET,NV1808B103K102CEKN 提供了更�(yōu)的動(dòng)�(tài)性能和更低的寄生電感,使其特別適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
型號(hào):NV1808B103K102CEKN
�(lèi)型:GaN HEMT
額定電壓�650 V
額定電流�8 A
�(dǎo)通電阻:100 mΩ
柵極電荷�30 nC
反向恢復(fù)�(shí)間:�(wú)(零反向恢復(fù)特性)
封裝形式:TO-252(DPAK�
NV1808B103K102CEKN 的主要特�(diǎn)是其�(yōu)異的高頻特性和高效性能。首�,它具備非常低的�(dǎo)通電�,這可以有效減少導(dǎo)通損耗,并提升整體系�(tǒng)效率。其次,該器件采用增�(qiáng)型GaN技�(shù),擁有接近零反向恢復(fù)電荷的特�,從而�(jìn)一步降低了�(kāi)�(guān)損��
此外,NV1808B103K102CEKN 支持高達(dá)10 MHz的工作頻�,為�(shè)�(jì)人員提供了更大的靈活�,同�(shí)減小了外部無(wú)源元件的尺寸,提高了功率密度�
在可靠性方�,該器件�(jīng)�(guò)�(yán)格測(cè)�,確保能夠在惡劣的工作條件下�(wěn)定運(yùn)行,例如高溫�(huán)境或高頻�(kāi)�(guān)操作�
NV1808B103K102CEKN 廣泛用于需要高效率和高頻工作的�(chǎng)景中。典型的�(yīng)用包括:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. 高頻DC-DC�(zhuǎn)換器
3. LED�(qū)�(dòng)電路
4. 太陽(yáng)能微型逆變�
5. 充電器和適配�
6. �(wú)線充電模�
由于其出色的性能,這款器件非常適合那些追求小型�、高效化�(shè)�(jì)的電力電子應(yīng)��
NV1808B103K102CEKM
NV1808B103K102CEKL
GS66508B