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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NV1808B103K102CEKN

NV1808B103K102CEKN 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/27 9:01:43 查看 閱讀�12

NV1808B103K102CEKN 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和高頻逆變器等電力電子�(shè)�。該器件采用了先�(jìn)的GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)結(jié)�(gòu),具有極低的�(dǎo)通電阻和快速的�(kāi)�(guān)速度,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和功率密度�
  相比傳統(tǒng)的硅基MOSFET,NV1808B103K102CEKN 提供了更�(yōu)的動(dòng)�(tài)性能和更低的寄生電感,使其特別適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

型號(hào):NV1808B103K102CEKN
  �(lèi)型:GaN HEMT
  額定電壓�650 V
  額定電流�8 A
  �(dǎo)通電阻:100 mΩ
  柵極電荷�30 nC
  反向恢復(fù)�(shí)間:�(wú)(零反向恢復(fù)特性)
  封裝形式:TO-252(DPAK�

特�

NV1808B103K102CEKN 的主要特�(diǎn)是其�(yōu)異的高頻特性和高效性能。首�,它具備非常低的�(dǎo)通電�,這可以有效減少導(dǎo)通損耗,并提升整體系�(tǒng)效率。其次,該器件采用增�(qiáng)型GaN技�(shù),擁有接近零反向恢復(fù)電荷的特�,從而�(jìn)一步降低了�(kāi)�(guān)損��
  此外,NV1808B103K102CEKN 支持高達(dá)10 MHz的工作頻�,為�(shè)�(jì)人員提供了更大的靈活�,同�(shí)減小了外部無(wú)源元件的尺寸,提高了功率密度�
  在可靠性方�,該器件�(jīng)�(guò)�(yán)格測(cè)�,確保能夠在惡劣的工作條件下�(wěn)定運(yùn)行,例如高溫�(huán)境或高頻�(kāi)�(guān)操作�

�(yīng)�

NV1808B103K102CEKN 廣泛用于需要高效率和高頻工作的�(chǎng)景中。典型的�(yīng)用包括:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  2. 高頻DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. LED�(qū)�(dòng)電路
  4. 太陽(yáng)能微型逆變�
  5. 充電器和適配�
  6. �(wú)線充電模�
  由于其出色的性能,這款器件非常適合那些追求小型�、高效化�(shè)�(jì)的電力電子應(yīng)��

替代型號(hào)

NV1808B103K102CEKM
  NV1808B103K102CEKL
  GS66508B

nv1808b103k102cekn推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)