NV1206B821K202CEDN是一款由ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)的高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用先�(jìn)的功率MOSFET技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)�。其封裝形式為TO-263(D2PAK�,能夠提供良好的散熱性能和電氣連接�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�14A
�(dǎo)通電阻:0.12Ω
柵極電荷�75nC
總電容:1150pF
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
NV1206B821K202CEDN采用了超�(jié)技�(shù),使得其在高壓應(yīng)用中仍然保持較低的導(dǎo)通電阻,從而減少了功率損��
其快速開(kāi)�(guān)特性可以降低開(kāi)�(guān)損耗,并提高系�(tǒng)的整體效��
此外,該器件還具有優(yōu)異的雪崩能力和熱�(wěn)定�,可以在惡劣的工作環(huán)境下�(zhǎng)期可靠運(yùn)行�
�(nèi)置的ESD保護(hù)電路提高了產(chǎn)品的抗靜電能�,增�(qiáng)了其在實(shí)際應(yīng)用中的耐用性�
NV1206B821K202CEDN適用于多種電力電子應(yīng)�,包括但不限于開(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�、電�(jī)控制、工�(yè)逆變�、不間斷電源(UPS)以及各種類型的DC-DC�(zhuǎn)換器�
由于其出色的性能,這款MOSFET非常適合需要高效能和高�(wěn)定性的�(chǎng)�,例如電�(dòng)汽車充電�(shè)�、太�(yáng)能逆變器和家用電器的電源管理模��
NV1206B821K202GDN
NV1206B821K202GD
FDP15U65A
IRFP260N