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NTZS3151PT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/4/13 11:23:16 查看 閱讀�812

-20 V, -950 mA 雙功率MOSFET帶ESD保護(hù)

目錄

概述

源漏極間雪崩電壓VBR(V)�20

源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ)�150

最大漏極電流Id(on)(A)�0.950

通道極性:P溝道

封裝/溫度(�):SOT-563/-55 ~150

資料

廠商
ON Semiconductor

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ntzs3151pt1g�(chǎn)�

ntzs3151pt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C860mA
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C150 毫歐 @ 950mA�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs5.6nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds458pF @ 16V
  • 功率 - 最�170mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-563,SOT-666
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-563
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTZS3151PT1GOSTR