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NTS4173PT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 16:02:31 查看 閱讀�26

NTS4173PT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型小信號(hào) MOSFET。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能等特�,廣泛適用于各種消費(fèi)�(lèi)電子�(shè)�、通信系統(tǒng)及工�(yè)控制�(lǐng)域中的功率管理與�(kāi)�(guān)�(yīng)��
  NTS4173PT1G 的封裝形式為 SOT-23,這種小型化封裝非常適合對(duì)空間要求較高的電路設(shè)�(jì),同�(shí)它也能夠提供�(wěn)定的電氣性能�

參數(shù)

最大漏源電壓(Vds):30V
  最大柵源電壓(Vgs):±8V
  連續(xù)漏極電流(Id):250mA
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.4Ω(在 Vgs=4.5V �(shí)�
  總功耗(Ptot):360mW
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�

特�

1. 低導(dǎo)通電阻:NTS4173PT1G 提供了較低的 Rds(on),從而減少了�(dǎo)通狀�(tài)下的功�,提高了整體效率�
  2. 高開(kāi)�(guān)速度:由于其較小的輸入電容和輸出電容,使得該 MOSFET 具備快速的�(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)��
  3. 小型封裝:采用標(biāo)�(zhǔn) SOT-23 封裝,節(jié)� PCB 空間,并且便于自�(dòng)化生�(chǎn)裝配�
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在較寬溫度范圍�(nèi)保持良好的電氣性能�
  5. 可靠性高:經(jīng)�(guò)�(yán)格的�(zhì)量檢�(cè),確保長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行下的穩(wěn)定性和可靠��

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(Switching Power Supplies)中的同步整流器�
  2. �(fù)載開(kāi)�(guān)(Load Switches)用于便攜式�(shè)備如智能手機(jī)和平板電��
  3. DC/DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)元件�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制電路中的�(kāi)�(guān)器件�
  5. 各種保護(hù)電路如過(guò)流保�(hù)、短路保�(hù)等場(chǎng)景�

替代型號(hào)

AO3400A, SI2302DS, FDN340P

nts4173pt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

nts4173pt1g資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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nts4173pt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.2A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C150 毫歐 @ 1.2A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs10.1nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds430pF @ 15V
  • 功率 - 最�290mW
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-70,SOT-323
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-70-3(SOT323�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)NTS4173PT1G-NDNTS4173PT1GOSTR