NTR5103NT1G 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用超小型的 SOT-23 封裝,具有低導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 和高開關(guān)速度的特點(diǎn),適用于各種便攜式和空間受限的應(yīng)用場景。其出色的性能使其成為電池供電設(shè)備、負(fù)載開關(guān)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用的理想選擇。
該芯片的工作電壓范圍為 1.8V 至 5.5V,能夠支持高達(dá) 3A 的連續(xù)漏極電流 (Id),并且具備優(yōu)異的熱性能,有助于提高系統(tǒng)的整體效率。
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):3A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):170mΩ (在 Vgs=4.5V 時(shí))
柵極電荷(Qg):1.9nC
總功耗(Ptot):400mW
工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃
NTR5103NT1G 提供了多種優(yōu)越的特性,包括低導(dǎo)通電阻以減少功率損耗,從而提升系統(tǒng)效率;具備快速的開關(guān)速度,可以降低開關(guān)損耗并支持高頻操作;同時(shí)采用緊湊的 SOT-23 封裝設(shè)計(jì),節(jié)省 PCB 空間。此外,它還擁有較高的浪涌電流能力,并且經(jīng)過優(yōu)化,能夠在較低的柵極驅(qū)動電壓下實(shí)現(xiàn)高效的性能表現(xiàn)。
這款器件具有強(qiáng)大的短路耐受能力和抗靜電能力(ESD),確保了其在嚴(yán)苛環(huán)境下的可靠性。其符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求,適合廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制及通信設(shè)備領(lǐng)域。
NTR5103NT1G 廣泛用于需要高效能和小體積解決方案的場合。典型應(yīng)用包括但不限于:電池管理與保護(hù)電路、負(fù)載開關(guān)、便攜式電子產(chǎn)品中的電源管理、LED 驅(qū)動、小型電機(jī)控制、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、USB 充電器以及其他低壓開關(guān)應(yīng)用。由于其封裝小巧且性能優(yōu)越,特別適合于對尺寸和功耗有嚴(yán)格要求的設(shè)計(jì)項(xiàng)目。
NTR4103PT1G, BSS138, 2N7002