NTR4171PT3G 是一� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),由 ON Semiconductor(安森美)生�(chǎn)。該器件采用 TO-263-3 封裝,適用于多種功率�(zhuǎn)換和開關(guān)�(yīng)�。NTR4171PT3G 的設(shè)計特點是低導(dǎo)通電阻和高效�,在汽車電子、工�(yè)控制以及消費類電子產(chǎn)品中有著廣泛�(yīng)��
該器件具有良好的熱性能和電氣特�,使其成為需要高效能和可靠性的�(yīng)用的理想選擇�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�38A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.5mΩ
柵極電荷�38nC
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝類型:TO-263-3
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常條件下的魯棒性�
3. 快速開�(guān)速度,有助于減少開關(guān)損��
4. 良好的熱�(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下的可靠��
5. 符合 AEC-Q101 標準,適用于汽車級應(yīng)��
6. 支持高電流操�,適合大功率�(yīng)��
1. 汽車電子 - 包括電機�(qū)�、電池管�、DC/DC �(zhuǎn)換器等�
2. 工業(yè)�(shè)� - 如工�(yè)電源、逆變�、不間斷電源(UPS)等�
3. 消費類電子產(chǎn)� - 例如適配�、充電器和其他便攜式�(shè)備的功率管理�
4. 開關(guān)模式電源(SMPS)設(shè)計中的同步整流和功率因數(shù)校正(PFC��
5. 任何需要高效能 MOSFET 的場�,特別是在高頻和高功率條件下�
NTR4170PT3G, NTD4965N3, IRF3205