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NTR4171PT1G 發(fā)布時間 時間�2023/4/10 11:13:43 查看 閱讀�1148

分離式半導體產品

目錄

概述

類別:分離式半導體產� 

家庭:MOSFET,GaNFET - � 

FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 特點:邏輯電平門

開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�75 mOhm @ 2.2A, 10V

漏極至源極電�(Vdss)�30V

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�2.2A

Id 時的 Vgs(th)(最大)�1.4V @ 250μA 

閘電�(Qg) @ Vgs�15.6nC @ 10V

� Vds 時的輸入電容(Ciss) �720pF @ 15V

功率 - 最大:480mW

安裝類型:表面貼� 

封裝/外殼:SOT-23-3, TO-236-3, Micro3?, SSD3, SST3 

包裝:帶� (TR)

供應商設備封裝:SOT-23

資料

廠商
VBSEMI/臺灣微碧

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ntr4171pt1g參數

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C75 毫歐 @ 2.2A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs15.6nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds720pF @ 15V
  • 功率 - 最�480mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTR4171PT1G-NDNTR4171PT1GOSTR