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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NTR3C21NZT1G

NTR3C21NZT1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 10:16:27 查看 閱讀�20

NTR3C21NZT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半導體)制造的 N 溝道增強� MOSFET。該器件采用先進的溝槽式工藝制�,具有低導通電阻和高開關速度的特�,適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的應用場景。其封裝形式� LFPAK56E(D2PAK 封裝�,適合表面貼裝技術(SMT)。該 MOSFET 廣泛用于電源管理、電機驅(qū)�、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高性能功率開關的應��
  由于其出色的電氣性能和可靠性,NTR3C21NZT1G 成為了工�(yè)電子、汽車電子以及消費類電子�(chǎn)品中的熱門選擇�

參數(shù)

型號:NTR3C21NZT1G
  制造商:ON Semiconductor
  類型:N 溝道增強� MOSFET
  Vds(漏源極電壓):30V
  Rds(on)(導通電�,典型值)�1.4mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):210A
  Vgs(th)(柵極閾值電壓)�2.2V~4V
  Qg(總柵極電荷):78nC
  EAS(雪崩能量)�9.9mJ
  封裝:LFPAK56E
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

NTR3C21NZT1G 具有以下主要特性:
  1. 極低的導通電� Rds(on),僅� 1.4mΩ,可以顯著降低導通損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 支持高達 210A 的連續(xù)漏極電流 Id,適合大電流應用�
  3. 工作電壓 Vds 高達 30V,能夠滿足多種中低壓應用場景的需��
  4. 快速開關能�,得益于其較低的總柵極電� Qg�78nC),從而減少開關損��
  5. 提供良好的熱性能,封裝形� LFPAK56E 支持高效的熱量傳��
  6. 寬工作溫度范圍(-55°C � +175°C�,能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運行�
  7. 高可靠性和魯棒性設�,支持一定的雪崩能量�9.9mJ),可承受異常狀�(tài)下的短時間過��

應用

NTR3C21NZT1G 可廣泛應用于以下領域�
  1. 開關電源(SMPS)中的功率開關元��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流 MOSFET�
  3. 電動車輛(EV/HEV)中的電機驅(qū)動電��
  4. 大功� LED 照明�(qū)動電��
  5. 各種工業(yè)自動化設備中的負載切換控制�
  6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護和控制開關�
  7. 通信電源和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景�

替代型號

NTR3C21PZT1G, NTD3C21NZT1G

ntr3c21nzt1g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ntr3c21nzt1g�(chǎn)�

ntr3c21nzt1g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�5,223�(xiàn)�
  • 價格1 : �3.34000剪切帶(CT�3,000 : �1.19384卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�20 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)3.6A(Ta�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�1.8V�4.5V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)24 毫歐 @ 5A�4.5V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)17.8 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)1540 pF @ 16 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)470mW(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應商器件封�SOT-23-3(TO-236�
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3