NTR3C21NZT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半導體)制造的 N 溝道增強� MOSFET。該器件采用先進的溝槽式工藝制�,具有低導通電阻和高開關速度的特�,適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的應用場景。其封裝形式� LFPAK56E(D2PAK 封裝�,適合表面貼裝技術(SMT)。該 MOSFET 廣泛用于電源管理、電機驅(qū)�、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高性能功率開關的應��
由于其出色的電氣性能和可靠性,NTR3C21NZT1G 成為了工�(yè)電子、汽車電子以及消費類電子�(chǎn)品中的熱門選擇�
型號:NTR3C21NZT1G
制造商:ON Semiconductor
類型:N 溝道增強� MOSFET
Vds(漏源極電壓):30V
Rds(on)(導通電�,典型值)�1.4mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):210A
Vgs(th)(柵極閾值電壓)�2.2V~4V
Qg(總柵極電荷):78nC
EAS(雪崩能量)�9.9mJ
封裝:LFPAK56E
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
NTR3C21NZT1G 具有以下主要特性:
1. 極低的導通電� Rds(on),僅� 1.4mΩ,可以顯著降低導通損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 支持高達 210A 的連續(xù)漏極電流 Id,適合大電流應用�
3. 工作電壓 Vds 高達 30V,能夠滿足多種中低壓應用場景的需��
4. 快速開關能�,得益于其較低的總柵極電� Qg�78nC),從而減少開關損��
5. 提供良好的熱性能,封裝形� LFPAK56E 支持高效的熱量傳��
6. 寬工作溫度范圍(-55°C � +175°C�,能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運行�
7. 高可靠性和魯棒性設�,支持一定的雪崩能量�9.9mJ),可承受異常狀�(tài)下的短時間過��
NTR3C21NZT1G 可廣泛應用于以下領域�
1. 開關電源(SMPS)中的功率開關元��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流 MOSFET�
3. 電動車輛(EV/HEV)中的電機驅(qū)動電��
4. 大功� LED 照明�(qū)動電��
5. 各種工業(yè)自動化設備中的負載切換控制�
6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護和控制開關�
7. 通信電源和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景�
NTR3C21PZT1G, NTD3C21NZT1G