時間：2025/5/20 15:42:44
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NTP5864NG是一款由Onsemi（安森美）生產(chǎn)的高性能、低導(dǎo)通電阻的P溝道功率MOSFET。該器件采用SO-8封裝形式，廣泛應(yīng)用于各種需要高效開關(guān)和低功耗的電路中。其設(shè)計主要針對負(fù)載開關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源管理以及電池保護等應(yīng)用場合。NTP5864NG具有優(yōu)異的電氣特性和熱性能，能夠滿足多種工業(yè)和消費類電子設(shè)備的需求。
作為一款P溝道MOSFET，NTP5864NG在導(dǎo)通時提供從源極到漏極的低阻抗路徑，從而減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。此外，它還具備快速開關(guān)能力和較高的電流承載能力，使其成為許多高要求應(yīng)用的理想選擇。
最大漏源電壓(Vds)：30V
最大柵源電壓(Vgs)：±8V
連續(xù)漏極電流(Id)：12A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：15mΩ（典型值，在Vgs=-4.5V時）
柵極電荷(Qg)：9nC
總功耗(Ptot)：2.3W
工作溫度范圍(Ta)：-55℃至+150℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on)，可有效降低功率損耗。
2. 高電流處理能力，支持高達(dá)12A的連續(xù)漏極電流。
3. 快速開關(guān)速度，適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
4. 小型SO-8封裝，節(jié)省PCB空間。
5. 寬工作溫度范圍，適用于各種嚴(yán)苛的工作條件。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且可靠。
7. 內(nèi)部結(jié)構(gòu)優(yōu)化以增強散熱性能，確保長期穩(wěn)定運行。
1. 負(fù)載開關(guān)和電源分配網(wǎng)絡(luò)。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器及電源管理模塊。
3. 電池保護和充電管理電路。
4. 消費類電子產(chǎn)品中的電源開關(guān)。
5. 工業(yè)控制和電機驅(qū)動。
6. 各種便攜式設(shè)備中的高效電源解決方案。
7. 照明系統(tǒng)中的調(diào)光和開關(guān)控制。
NTP5862N, NTP5863N, NTP5865N
