NTNS3A65PZT5G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的功率晶體管,專為高�、高效能的應(yīng)用場景設(shè)�(jì)。它采用增強(qiáng)型常�(guān)(E-Mode)結(jié)�(gòu),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高電源轉(zhuǎn)換效率并降低熱損��
該器件適用于多種開關(guān)模式電源(SMPS�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)動等�(yīng)用場�,可有效提升系統(tǒng)性能并縮小整體尺��
型號:NTNS3A65PZT5G
類型:GaN 功率晶體�
Vds(漏源電壓)�650V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�160mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):8A
Qg(柵極電荷)�40nC
Ciss(輸入電容)�2070pF
fsw(最大開�(guān)頻率):5MHz
封裝形式:TO-252 (DPAK)
NTNS3A65PZT5G 的主要特性包括:
1. 使用先�(jìn)的氮化鎵材料制造,提供比傳�(tǒng)硅基MOSFET更高的效率和更低的損��
2. 極低的導(dǎo)通電阻確保在高負(fù)載條件下保持較低的功耗�
3. 高速開�(guān)能力使其非常適合高頻�(yīng)用場�,例� LLC 諧振�(zhuǎn)換器或硬開關(guān)�?fù)�?br> 4. 增強(qiáng)型常�(guān)�(jié)�(gòu)簡化了驅(qū)動電路設(shè)�(jì),并提高了系�(tǒng)的可靠性和安全��
5. 具有出色的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
6. 支持高達(dá) 650V 的漏源電壓,滿足多種高壓�(yīng)用需��
NTNS3A65PZT5G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�,如適配�、充電器等�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器,用于工�(yè)�(shè)備和通信基站�
3. 電機(jī)�(qū)動及控制,特別是在高性能伺服系統(tǒng)中�
4. 太陽能逆變�,助力綠色能源解決方��
5. 電動汽車車載充電器和牽引逆變��
6. 快速充電設(shè)備,支持更高功率密度的設(shè)�(jì)�
NTR21650N, GAN063-650WSA