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NTNS3A65PZT5G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 16:46:45 查看 閱讀�5

NTNS3A65PZT5G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的功率晶體管,專為高�、高效能的應(yīng)用場景設(shè)�(jì)。它采用增強(qiáng)型常�(guān)(E-Mode)結(jié)�(gòu),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高電源轉(zhuǎn)換效率并降低熱損��
  該器件適用于多種開關(guān)模式電源(SMPS�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)動等�(yīng)用場�,可有效提升系統(tǒng)性能并縮小整體尺��

參數(shù)

型號:NTNS3A65PZT5G
  類型:GaN 功率晶體�
  Vds(漏源電壓)�650V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�160mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):8A
  Qg(柵極電荷)�40nC
  Ciss(輸入電容)�2070pF
  fsw(最大開�(guān)頻率):5MHz
  封裝形式:TO-252 (DPAK)

特�

NTNS3A65PZT5G 的主要特性包括:
  1. 使用先�(jìn)的氮化鎵材料制造,提供比傳�(tǒng)硅基MOSFET更高的效率和更低的損��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻確保在高負(fù)載條件下保持較低的功耗�
  3. 高速開�(guān)能力使其非常適合高頻�(yīng)用場�,例� LLC 諧振�(zhuǎn)換器或硬開關(guān)�?fù)�?br>  4. 增強(qiáng)型常�(guān)�(jié)�(gòu)簡化了驅(qū)動電路設(shè)�(jì),并提高了系�(tǒng)的可靠性和安全��
  5. 具有出色的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  6. 支持高達(dá) 650V 的漏源電壓,滿足多種高壓�(yīng)用需��

�(yīng)�

NTNS3A65PZT5G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�,如適配�、充電器等�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器,用于工�(yè)�(shè)備和通信基站�
  3. 電機(jī)�(qū)動及控制,特別是在高性能伺服系統(tǒng)中�
  4. 太陽能逆變�,助力綠色能源解決方��
  5. 電動汽車車載充電器和牽引逆變��
  6. 快速充電設(shè)備,支持更高功率密度的設(shè)�(jì)�

替代型號

NTR21650N, GAN063-650WSA

ntns3a65pzt5g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

ntns3a65pzt5g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • FET 類型P 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�20 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)281mA(Ta�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�1.5V�4.5V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)1.3 歐姆 @ 200mA�4.5V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)1.1 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)44 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)155mW(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�SOT-883(XDFN3)(1x0.6�
  • 封裝/外殼3-XFDFN