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NTMS4802NR2G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/9 12:31:09 查看 閱讀�23

NTMS4802NR2G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生�(chǎn)的雙� N � MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用小尺寸封裝設(shè)�(jì),主要應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開�(guān)、電池保�(hù)等電路中。它通過(guò)將兩�(gè) N 溝道 MOSFET 集成在一�(gè)封裝�(nèi),從而減少了 PCB 占用空間并提高了�(shè)�(jì)靈活��
  該芯片具有低�(dǎo)通電阻(Rds(on)�、高開關(guān)速度以及良好的熱�(wěn)定性,使其非常適合便攜式電子設(shè)�、消�(fèi)類電子產(chǎn)品以及其他需要高效功率控制的�(yīng)用場(chǎng)景�

參數(shù)

類型:N 溝道增強(qiáng)� MOSFET
  封裝:TSOP-6
  VDS(漏源電壓)�30V
  VGS(柵源電壓):�20V
  Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�1.5Ω @ VGS = 4.5V
  連續(xù)漏極電流(ID):2A @ 25°C
  功耗(PD):570mW
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

NTMS4802NR2G 的主要特性包括:
  1. 雙路 N 溝道 MOSFET 集成�(shè)�(jì),節(jié)省空��
  2. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于降低功耗并提高效率�
  3. 支持較高的漏源電壓和連續(xù)漏極電流,適�(yīng)多種�(yīng)用需��
  4. 良好的電氣特性和熱穩(wěn)定�,確保在極端條件下可靠運(yùn)行。OP-6 封裝,便于布局與焊�,適合緊湊型�(shè)�(jì)�
  6. 寬廣的工作溫度范圍,適用于各種工�(yè)及消�(fèi)�(jí)�(huán)��
  這些特性使 NTMS4802NR2G 成為眾多低功耗、高效能�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

NTMS4802NR2G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 電源管理模塊中的�(fù)載開�(guān)和電平轉(zhuǎn)��
  2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品,如智能手�(jī)、平板電腦和其他便攜式設(shè)備的電源管理�
  3. 電池保護(hù)電路,用于過(guò)流、過(guò)壓及短路保護(hù)�
  4. �(shù)�(jù)通信接口的保�(hù)和切換�
  5. 工業(yè)控制系統(tǒng)的信�(hào)切換與隔��
  由于其優(yōu)異的性能和緊湊的封裝�(shè)�(jì),NTMS4802NR2G 特別適合于對(duì)空間和效率有�(yán)格要求的�(yīng)用場(chǎng)景�

替代型號(hào)

NTMS4801NR2G
  NTMS4902NR2G

ntms4802nr2g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ntms4802nr2g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C11.1A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 毫歐 @ 18A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs36nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds5300pF @ 25V
  • 功率 - 最�910mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)