NTMS4802NR2G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生�(chǎn)的雙� N � MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用小尺寸封裝設(shè)�(jì),主要應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開�(guān)、電池保�(hù)等電路中。它通過(guò)將兩�(gè) N 溝道 MOSFET 集成在一�(gè)封裝�(nèi),從而減少了 PCB 占用空間并提高了�(shè)�(jì)靈活��
該芯片具有低�(dǎo)通電阻(Rds(on)�、高開關(guān)速度以及良好的熱�(wěn)定性,使其非常適合便攜式電子設(shè)�、消�(fèi)類電子產(chǎn)品以及其他需要高效功率控制的�(yīng)用場(chǎng)景�
類型:N 溝道增強(qiáng)� MOSFET
封裝:TSOP-6
VDS(漏源電壓)�30V
VGS(柵源電壓):�20V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�1.5Ω @ VGS = 4.5V
連續(xù)漏極電流(ID):2A @ 25°C
功耗(PD):570mW
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
NTMS4802NR2G 的主要特性包括:
1. 雙路 N 溝道 MOSFET 集成�(shè)�(jì),節(jié)省空��
2. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于降低功耗并提高效率�
3. 支持較高的漏源電壓和連續(xù)漏極電流,適�(yīng)多種�(yīng)用需��
4. 良好的電氣特性和熱穩(wěn)定�,確保在極端條件下可靠運(yùn)行。OP-6 封裝,便于布局與焊�,適合緊湊型�(shè)�(jì)�
6. 寬廣的工作溫度范圍,適用于各種工�(yè)及消�(fèi)�(jí)�(huán)��
這些特性使 NTMS4802NR2G 成為眾多低功耗、高效能�(yīng)用的理想選擇�
NTMS4802NR2G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 電源管理模塊中的�(fù)載開�(guān)和電平轉(zhuǎn)��
2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品,如智能手�(jī)、平板電腦和其他便攜式設(shè)備的電源管理�
3. 電池保護(hù)電路,用于過(guò)流、過(guò)壓及短路保護(hù)�
4. �(shù)�(jù)通信接口的保�(hù)和切換�
5. 工業(yè)控制系統(tǒng)的信�(hào)切換與隔��
由于其優(yōu)異的性能和緊湊的封裝�(shè)�(jì),NTMS4802NR2G 特別適合于對(duì)空間和效率有�(yán)格要求的�(yīng)用場(chǎng)景�
NTMS4801NR2G
NTMS4902NR2G