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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > NTMS4706NR2G

NTMS4706NR2G 發(fā)布時間 時間�2023/11/22 17:28:21 查看 閱讀�136

產品種類:MOSFET小信�

目錄

概述

制造商:ONSemiconductor
產品種類:MOSFET小信�
RoHS:是
配置:SingleQuadDrainTripleSource
晶體管極性:N-Channel
電阻汲極/源極RDS(導通)�0.0114Ohms
正向跨導gFS(最大�/最小值)�19S
汲極/源極擊穿電壓�30V
�/源擊穿電壓:+/-20V
漏極連續(xù)電流�10.3A
功率耗散�1.5W
最大工作溫度:+150

安裝風格:SMD/SMT
封裝/箱體:SO-8
封裝:Reel
最小工作溫度:-55

StandardPackQty�2500

ntms4706nr2g推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ntms4706nr2g參數

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6.4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫歐 @ 10.3A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs15nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds950pF @ 24V
  • 功率 - 最�830mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應商設備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)