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NTMS4503NR2G 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 18:14:36 查看 閱讀�27

NTMS4503NR2G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半導體)生產� N 溝道增強型場效應晶體管(MOSFET)。該器件采用 SuperFET II 技術制�,具有低導通電阻和高開關效率的特點,廣泛應用于功率管理、電機驅動以� DC-DC 轉換等場�。其封裝形式� SOIC-8,適合表面貼裝工��
  SuperFET 技術使� NTMS4503NR2G 在高頻應用中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能,同時優(yōu)化了熱特性和電氣特�,能夠滿足現(xiàn)代電子設備對高效能和緊湊設計的需求�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�37A
  導通電阻(典型值)�1.9mΩ
  柵極電荷(典型值)�48nC
  總功耗:2.6W
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

NTMS4503NR2G 的主要特性包括以下幾點:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高電流承載能�,支持高� 37A 的連續(xù)漏極電流�
  3. 先進的 SuperFET II 技術確保在高頻開關應用中的卓越性能�
  4. 緊湊� SOIC-8 封裝節(jié)省了印刷電路板的空間�
  5. 寬泛的工作溫度范圍使其適用于各種�(huán)境條件下的應��
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設��

應用

NTMS4503NR2G 主要用于以下領域�
  1. 開關電源(SMPS)中的同步整流�
  2. DC-DC 轉換器中的功率開��
  3. 電機驅動和控制電路�
  4. 工業(yè)自動化設備中的負載開��
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護電路�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的功率分配模塊�

替代型號

NTMS4502NR2G, FDP5500NL, IRL3103TRPBF

ntms4503nr2g推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ntms4503nr2g參數(shù)

  • 制造商ON Semiconductor
  • 產品種類MOSFET
  • 晶體管極�N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓28 V
  • �/源擊穿電�+/- 20 V
  • 漏極連續(xù)電流14 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)0.0088 Ohms
  • 配置Single Quad Drain Triple Source
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝風格SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SOIC-8 Narrow
  • 封裝Reel
  • 下降時間23 ns
  • 正向跨導 gFS(最大�/最小值)30 S
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散2.5 W
  • 上升時間70 ns
  • 工廠包裝�(shù)�2500
  • 典型關閉延遲時間21 ns