NTMS4503NR2G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半導體)生產� N 溝道增強型場效應晶體管(MOSFET)。該器件采用 SuperFET II 技術制�,具有低導通電阻和高開關效率的特點,廣泛應用于功率管理、電機驅動以� DC-DC 轉換等場�。其封裝形式� SOIC-8,適合表面貼裝工��
SuperFET 技術使� NTMS4503NR2G 在高頻應用中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能,同時優(yōu)化了熱特性和電氣特�,能夠滿足現(xiàn)代電子設備對高效能和緊湊設計的需求�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�37A
導通電阻(典型值)�1.9mΩ
柵極電荷(典型值)�48nC
總功耗:2.6W
工作溫度范圍�-55� � +150�
NTMS4503NR2G 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高電流承載能�,支持高� 37A 的連續(xù)漏極電流�
3. 先進的 SuperFET II 技術確保在高頻開關應用中的卓越性能�
4. 緊湊� SOIC-8 封裝節(jié)省了印刷電路板的空間�
5. 寬泛的工作溫度范圍使其適用于各種�(huán)境條件下的應��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設��
NTMS4503NR2G 主要用于以下領域�
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流�
2. DC-DC 轉換器中的功率開��
3. 電機驅動和控制電路�
4. 工業(yè)自動化設備中的負載開��
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護電路�
6. 汽車電子系統(tǒng)中的功率分配模塊�
NTMS4502NR2G, FDP5500NL, IRL3103TRPBF