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NTMFS6B14NT1G 發(fā)布時間 時間：2025/5/23 19:14:50 查看 閱讀：11

NTMFS6B14NT1G 是一款 N 溝道邏輯增強型 MOSFET，采用 LFPAK8 封裝形式。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，適用于多種功率轉(zhuǎn)換和電機驅(qū)動應用。其設計優(yōu)化了散熱性能和 PCB 布局靈活性。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　連續(xù)漏極電流：95A
　　導通電阻（典型值）：2.7mΩ
　　柵極電荷：26nC
　　總電容：1520pF
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃

特性

NTMFS6B14NT1G 具有超低的導通電阻 (Rds(on))，可顯著降低功率損耗并提高效率。此外，它具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和快速開關能力，適合高頻應用場景。LFPAK8 封裝提供良好的電氣性能和機械可靠性，同時支持表面貼裝工藝。
　　該器件還具有出色的雪崩耐量和 ESD 防護能力，增強了系統(tǒng)的魯棒性。其高電流承載能力使得它在大功率負載條件下表現(xiàn)出色。

應用

NTMFS6B14NT1G 廣泛應用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、同步整流電路、電機驅(qū)動器、電池保護電路以及消費電子設備中的功率管理模塊。由于其高電流處理能力和低損耗特點，也非常適合工業(yè)自動化、通信電源和汽車電子領域。

替代型號

NTMFS6B14N
　　IRLB8748PBF
　　AO4402A

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  • 產(chǎn)品型號
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ntmfs6b14nt1g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • FET 類型N 通道
  • 技術MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）100 V
  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)10A（Ta），50A（Tc）
  • 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）15 毫歐 @ 20A，10V
  • 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）20 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）1300 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）3.1W（Ta），77W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應商器件封裝5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN，5 引線