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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NTMFS4C022NT1G

NTMFS4C022NT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 10:29:39 查看 閱讀�30

NTMFS4C022NT1G 是一� N 溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET�,屬� Nexperia 公司� MOSFET �(chǎn)品系列。該器件采用 LFPAK56E 封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種電源管理�(yīng)�,如 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場��
  該型�(hào)主要以高效能和可靠性著�,適合用于需要高性能功率切換的應(yīng)用場��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�78A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.45mΩ(在典型條件下)
  總電荷量(Qg):19nC
  柵極電荷� Qgs/Qgd):10.5nC/8.5nC
  功耗:38W
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

NTMFS4C022NT1G 提供了極低的�(dǎo)通電� (Rds(on)),從而減少了傳導(dǎo)損�,提高了效率。此�,它還具有較低的柵極電荷 (Qg),有助于�(shí)�(xiàn)更快的開�(guān)速度并降低開�(guān)損��
  LFPAK56E 封裝確保了良好的散熱性能,并且支持表面貼裝技�(shù) (SMT),簡化了生產(chǎn)流程�
  其高電流承載能力使其成為大功率應(yīng)用的理想選擇,同�(shí)具備�(yōu)異的雪崩能力和抗靜電能力,增�(qiáng)了器件的耐用��
  由于采用了銅夾片技�(shù),該器件能夠提供更低的熱阻和電氣阻抗,�(jìn)一步提升了整體性能�

�(yīng)�

這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于工業(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)�,包括但不限于:
  - 開關(guān)電源 (SMPS)
  - DC-DC �(zhuǎn)換器
  - 電機(jī)控制與驅(qū)�(dòng)
  - 電池保護(hù)電路
  - 照明系統(tǒng)(如 LED �(qū)�(dòng)�
  - �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)
  憑借其卓越的性能和穩(wěn)定�,NTMFS4C022NT1G 在各類高效率功率�(zhuǎn)換設(shè)�(jì)中表�(xiàn)�(yōu)��

替代型號(hào)

NTMFS4C020NTP, NTMFS4C022NTP

ntmfs4c022nt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ntmfs4c022nt1g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �12.64000剪切帶(CT�1,500 : �6.21216卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�30 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)30A(Ta��136A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)1.7 毫歐 @ 30A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)45.2 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)3071 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.1W(Ta��64W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�5-DFN�5x6)(8-SOFL�
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN�5 引線