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NTMFS4841NT1G 發(fā)布時間 時間�2023/11/22 17:50:03 查看 閱讀�229

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�7 毫歐 @ 30A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�8.3A
Id 時的 Vgs(th)(最大)�2.5V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�17nC @ 4.5V
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �1436pF @ 12V
功率 - 最大:870mW
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼�5-DFN, SO8 FL
包裝:帶� (TR)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:SO-8
其它名稱:NTMFS4841NT1G-NDNTMFS4841NT1GOSTR

ntmfs4841nt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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ntmfs4841nt1g參數(shù)

  • 標準包裝1,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8.3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7 毫歐 @ 30A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs17nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1436pF @ 12V
  • 功率 - 最�870mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-TDFN 裸露焊盤�5 引線�
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-DFN�8-SO 扁平引線�5x6�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTMFS4841NT1G-NDNTMFS4841NT1GOSTR