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NTMFD4C20NT1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/9 13:59:26 查看 閱讀�22

NTMFD4C20NT1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效率功率晶體�,由 Navitas Semiconductor 生產(chǎn)。該器件采用� GaNFast 技�(shù),集成了�(qū)動器和保護電�,旨在提供卓越的開關(guān)性能和熱效率。它專為高頻、高密度電源�(yīng)用而設(shè)�,例如快速充電器、適配器和數(shù)�(jù)中心電源�。這種晶體管在尺寸、效率和散熱方面具有顯著�(yōu)�,可幫助工程師實�(xiàn)更小、更輕、更高效的電源解決方��
  該型號屬� eMode(增強型)GaN HEMT,采� 650V 額定電壓�(shè)�,具備低�(dǎo)通電阻和超快開關(guān)速度,使其非常適合硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲�

參數(shù)

類型:增強型 GaN 功率晶體�
  電壓額定值:650V
  連續(xù)漏極電流�8A
  �(dǎo)通電阻:20mΩ
  柵極電荷�40nC
  反向恢復(fù)時間:無反向恢復(fù)
  封裝:LLLP 8x8mm
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

1. 超低�(dǎo)通電� (Rds(on)) 和柵極電� (Qg),從而降低傳�(dǎo)和開�(guān)損��
  2. �(nèi)置驅(qū)動器和保護功�,簡化了系統(tǒng)�(shè)計并提高了可靠��
  3. 支持高達 2MHz 的開�(guān)頻率,使�(shè)計師能夠使用更小的磁性元件和電容器,減少整體體積和重��
  4. 具備短路保護、過溫保護以及欠壓鎖定等功能,確保在各種工況下的安全運行�
  5. 與傳�(tǒng)� MOSFET 相比,GaN 器件提供了更快的開關(guān)速度和更高的效率,尤其適用于 USB PD 快充和其他高效能�(yīng)��

�(yīng)�

1. 消費電子�(lǐng)域中的快速充電器和筆記本電腦適配器�
  2. �(shù)�(jù)中心及電信設(shè)備中� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  3. 太陽能微型逆變器和儲能系統(tǒng)�
  4. 工業(yè)電機�(qū)動和機器人技�(shù)�
  5. 高頻諧振�(zhuǎn)換器(如 LLC 和相移全橋拓撲)�

ntmfd4c20nt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ntmfd4c20nt1g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�3�(xiàn)�
  • 價格1 : �17.41000剪切帶(CT�1,500 : �8.55330卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)最后售�
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 配置2 N-通道(雙�
  • FET 功能-
  • 漏源電壓(Vdss�30V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)9.1A�13.7A
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)7.3 毫歐 @ 10A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)9.3nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)970pF @ 15V
  • 功率 - 最大�1.09W�1.15W
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商器件封�8-DFN�5x6)雙標記(SO8FL-雙通道-非對稱)