NTMFD4C20NT1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效率功率晶體�,由 Navitas Semiconductor 生產(chǎn)。該器件采用� GaNFast 技�(shù),集成了�(qū)動器和保護電�,旨在提供卓越的開關(guān)性能和熱效率。它專為高頻、高密度電源�(yīng)用而設(shè)�,例如快速充電器、適配器和數(shù)�(jù)中心電源�。這種晶體管在尺寸、效率和散熱方面具有顯著�(yōu)�,可幫助工程師實�(xiàn)更小、更輕、更高效的電源解決方��
該型號屬� eMode(增強型)GaN HEMT,采� 650V 額定電壓�(shè)�,具備低�(dǎo)通電阻和超快開關(guān)速度,使其非常適合硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲�
類型:增強型 GaN 功率晶體�
電壓額定值:650V
連續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻:20mΩ
柵極電荷�40nC
反向恢復(fù)時間:無反向恢復(fù)
封裝:LLLP 8x8mm
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
1. 超低�(dǎo)通電� (Rds(on)) 和柵極電� (Qg),從而降低傳�(dǎo)和開�(guān)損��
2. �(nèi)置驅(qū)動器和保護功�,簡化了系統(tǒng)�(shè)計并提高了可靠��
3. 支持高達 2MHz 的開�(guān)頻率,使�(shè)計師能夠使用更小的磁性元件和電容器,減少整體體積和重��
4. 具備短路保護、過溫保護以及欠壓鎖定等功能,確保在各種工況下的安全運行�
5. 與傳�(tǒng)� MOSFET 相比,GaN 器件提供了更快的開關(guān)速度和更高的效率,尤其適用于 USB PD 快充和其他高效能�(yīng)��
1. 消費電子�(lǐng)域中的快速充電器和筆記本電腦適配器�
2. �(shù)�(jù)中心及電信設(shè)備中� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
3. 太陽能微型逆變器和儲能系統(tǒng)�
4. 工業(yè)電機�(qū)動和機器人技�(shù)�
5. 高頻諧振�(zhuǎn)換器(如 LLC 和相移全橋拓撲)�