類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFETs - 陣列
FET 型:2 �(gè) P 溝道(雙�
FET 特點(diǎn):邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�100 毫歐 @ 2.4A, 4.5V
漏極至源極電�(Vdss)�16V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�2.3A
Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�1.5V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�18nC @ 4.5V
� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �750pF @ 16V
功率 - 最大:710mW
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼�8-SOIC�3.9mm 寬)
包裝:帶� (TR)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC (窄型)
其它名稱:NTMD2P01R2OS