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NTMD2P01R2 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/11/22 17:16:38 查看 閱讀�447

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFETs - 陣列
FET 型:2 �(gè) P 溝道(雙�
FET 特點(diǎn):邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�100 毫歐 @ 2.4A, 4.5V
漏極至源極電�(Vdss)�16V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�2.3A
Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�1.5V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�18nC @ 4.5V
� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �750pF @ 16V
功率 - 最大:710mW
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼�8-SOIC�3.9mm 寬)
包裝:帶� (TR)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC (窄型)
其它名稱:NTMD2P01R2OS

ntmd2p01r2推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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ntmd2p01r2�(chǎn)�

ntmd2p01r2參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �2 �(gè) P 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)16V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫歐 @ 2.4A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs18nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds750pF @ 16V
  • 功率 - 最�710mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTMD2P01R2OS