-20V�-9.5A,uCOOLP溝道功率金屬氧化物半�(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體�
P信道20V 3.5A(Ta�700mW(Ta)表面安�6-WDFN�2x2�
�(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET-�
FET型:MOSFET P通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
�(kāi)�(tài)Rds(最大) Id,Vgs 25nC�40毫歐 3A,4.5V
漏極至源極電�(Vdss)�20V
電流-連續(xù)漏極(Id) 25nC�3.5A
Id�(shí)的Vgs(th)(最大)�1V 250µA
閘電�(Qg) Vgs�15.7nC 4.5V
在Vds�(shí)的輸入電�(Ciss)�1329pF 16V
功率-最大:700mW
安裝�(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼�6-VDFN
包裝:帶�(TR)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:6-TDFN
其它名稱(chēng):NTLJS3113PT1G-NDNTLJS3113PT1GOSTR
WDFN封裝提供外露排水�,實(shí)�(xiàn)卓越的熱傳導(dǎo)
2x2 mm的占地面積與SC相同?88封裝
2x2 mm封裝中的最低RDS(開(kāi)啟)解決方案
1.5 V RDS(打�(kāi))額定�,可在低壓邏輯電平GateDrive下運(yùn)�
薄型�<0.8 mm�,便于在薄環(huán)境中安裝
這些�(shè)備為�?�(wú)鹵素/�(wú)BFR,符合RoHS