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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NTLJS3113PT1G

NTLJS3113PT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/9/11 14:33:02 查看 閱讀�251

-20V�-9.5A,uCOOLP溝道功率金屬氧化物半�(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體�
  P信道20V 3.5A(Ta�700mW(Ta)表面安�6-WDFN�2x2�

參數(shù)

�(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  家庭:MOSFET,GaNFET-�
  FET型:MOSFET P通道,金屬氧化物
  FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
  �(kāi)�(tài)Rds(最大) Id,Vgs 25nC�40毫歐 3A,4.5V
  漏極至源極電�(Vdss)�20V
  電流-連續(xù)漏極(Id) 25nC�3.5A
  Id�(shí)的Vgs(th)(最大)�1V 250µA
  閘電�(Qg) Vgs�15.7nC 4.5V
  在Vds�(shí)的輸入電�(Ciss)�1329pF 16V
  功率-最大:700mW
  安裝�(lèi)型:表面貼裝
  封裝/外殼�6-VDFN
  包裝:帶�(TR)
  供應(yīng)商設(shè)備封裝:6-TDFN
  其它名稱(chēng):NTLJS3113PT1G-NDNTLJS3113PT1GOSTR

特�

WDFN封裝提供外露排水�,實(shí)�(xiàn)卓越的熱傳導(dǎo)
  2x2 mm的占地面積與SC相同?88封裝
  2x2 mm封裝中的最低RDS(開(kāi)啟)解決方案
  1.5 V RDS(打�(kāi))額定�,可在低壓邏輯電平GateDrive下運(yùn)�
  薄型�<0.8 mm�,便于在薄環(huán)境中安裝
  這些�(shè)備為�?�(wú)鹵素/�(wú)BFR,符合RoHS

ntljs3113pt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

ntljs3113pt1g資料 更多>

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ntljs3113pt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列µCool™
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.5A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫歐 @ 3A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs15.7nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1329pF @ 16V
  • 功率 - 最�700mW
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼6-WDFN 裸露焊盤(pán)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-WDFN�2x2�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)NTLJS3113PT1G-NDNTLJS3113PT1GOSTR